[发明专利]晶片加工用粘接材料、晶片层叠体及薄型晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201610682302.0 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106467715B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 菅生道博;安田浩之;田上昭平;田边正人 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09J183/04 | 分类号： | C09J183/04;C09J153/02;C09J183/07;C09J183/05;C09J163/00;C09J133/12;C09J11/04;C09J11/08;H01L23/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 何杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 工用 材料 层叠 制造 方法 | ||
1.一种晶片加工用粘接材料，其特征在于，其为用于将晶片和支承体临时贴装的含有有机硅系粘接剂的晶片加工用粘接材料，含有抗静电剂，其中，
所述晶片加工用粘接材料具有(A)包含非有机硅热塑性树脂层的第一暂时粘接层以及(C)包含热固化性硅氧烷改性聚合物层的第三暂时粘接层，
抗静电剂包含在第三暂时粘接层(C)中，
在含有抗静电剂的暂时粘接层中，抗静电剂的含量为0.01～10质量％。
2.一种晶片加工用粘接材料，其特征在于，其为用于将晶片和支承体临时贴装的含有有机硅系粘接剂的晶片加工用粘接材料，含有抗静电剂，其中，
所述晶片加工用粘接材料具有(A)包含非有机硅热塑性树脂层的第一暂时粘接层以及(B)包含热固化性有机硅聚合物层的第二暂时粘接层和(C)包含热固化性硅氧烷改性聚合物层的第三暂时粘接层，
抗静电剂包含在第二暂时粘接层(B)和第三暂时粘接层(C)中，
在含有抗静电剂的暂时粘接层中，抗静电剂的含量为0.01～10质量％。
3.一种晶片层叠体，其特征在于，其为晶片和支承体介由含有有机硅系粘接剂层的粘接材料贴合的层叠体，在所述粘接材料中含有抗静电剂，其中，
所述晶片层叠体具备表面具有电路面的晶片、晶片加工用粘接材料和支承体，所述晶片加工用粘接材料具有：按照能够剥离的方式粘接在该晶片的表面的(A)包含非有机硅热塑性树脂层的第一暂时粘接层、以及层叠于该第一暂时粘接层的(C)包含热固化性硅氧烷改性聚合物层的第三暂时粘接层，所述支承体按照能够剥离的方式层叠于所述粘接材料的第三暂时粘接层上，所述(C)第三暂时粘接层中含有抗静电剂，
在含有抗静电剂的暂时粘接层中，抗静电剂的含量为0.01～10质量％。
4.一种晶片层叠体，其特征在于，其为晶片和支承体介由含有有机硅系粘接剂层的粘接材料贴合的层叠体，在所述粘接材料中含有抗静电剂，其中，
所述晶片层叠体具备表面具有电路面的晶片、晶片加工用粘接材料和支承体，所述晶片加工用粘接材料具有：按照能够剥离的方式粘接在该晶片的表面的(A)包含非有机硅热塑性树脂层的第一暂时粘接层、层叠于该第一暂时粘接层的(B)包含热固化性有机硅聚合物层的第二暂时粘接层和(C)包含热固化性硅氧烷改性聚合物层的第三暂时粘接层，所述支承体按照能够剥离的方式层叠于所述粘接材料的第三暂时粘接层上，所述(B)第二暂时粘接层和(C)第三暂时粘接层中含有抗静电剂，
在含有抗静电剂的暂时粘接层中，抗静电剂的含量为0.01～10质量％。
5.一种薄型晶片的制造方法，其含有如下剥离工序：将晶片和支承体用权利要求1或2所述的粘接材料临时贴装，对晶片进行薄型加工处理，然后将支承体从加工后的晶片剥离。
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