[发明专利]石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法

权利要求书

1.一种石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1)提供目标结构，在所述目标结构表面制备复合透明导电薄膜，所述复合透明导电薄膜包括石墨烯薄膜及银纳米线薄膜；

2)在所述复合透明导电薄膜表面制备图形化光刻胶掩膜层；

3)依据所述图形化光刻胶掩膜层刻蚀所述复合透明导电薄膜；

4)去除所述图形化光刻胶掩膜层，完成对所述透明导电薄膜的图形化处理。

2.根据权利要求1所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

步骤1)中，所述目标结构为目标衬底或具有功能器件的半导体结构。

3.根据权利要求2所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

所述目标衬底为石英玻璃、玻璃、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

步骤1)中，在所述目标结构表面制备所述复合透明导电薄膜包括以下步骤：

1-1)在所述目标结构表面形成所述银纳米线薄膜；

1-2)在所述银纳米线薄膜表面形成所述石墨烯薄膜。

5.根据权利要求4所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

步骤1-1)中，在所述目标结构表面形成所述银纳米线薄膜包括以下步骤：

1-1-1)提供银纳米线及溶剂，将所述银纳米线置于所述溶剂中得到银纳米线分散液；

1-1-2)采用浸渍提拉工艺、旋涂工艺、刮涂工艺、喷涂工艺、湿涂工艺、丝网印刷工艺、滚轮涂布工艺或板式涂布工艺在所述目标结构表面制备包括多个接触连接的银纳米线的所述银纳米线薄膜。

6.根据权利要求4所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

步骤1-2)中，在所述银纳米线薄膜表面形成所述石墨烯薄膜包括以下步骤：

1-2-1)提供生长基底，在所述生长基底表面制备所述石墨烯薄膜；

1-2-2)将所述石墨烯薄膜转移至所述银纳米线薄膜表面。

7.根据权利要求1所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：步骤1)中，在所述目标结构表面制备所述复合透明导电薄膜包括以下步骤：

1-1)在所述目标结构表面形成所述石墨烯薄膜；

1-2)在所述石墨烯薄膜表面形成所述银纳米线薄膜。

8.根据权利要求7所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

步骤1-1)中，在所述目标结构表面形成所述石墨烯薄膜包括以下步骤：

1-1-1)提供生长基底，在所述生长基底表面制备所述石墨烯薄膜；

1-1-2)将所述石墨烯薄膜转移至所述目标结构表面。

9.根据权利要求7所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：

步骤1-2)中，在所述石墨烯薄膜表面形成所述银纳米线薄膜包括以下步骤：

1-2-1)提供银纳米线及溶剂，将所述银纳米线置于所述溶剂中得到银纳米线分散液；

1-2-2)采用浸渍提拉工艺、旋涂工艺、刮涂工艺、喷涂工艺、湿涂工艺、丝网印刷工艺、滚轮涂布工艺或板式涂布工艺在所述石墨烯薄膜表面制备包括多个接触连接的银纳米线的所述银纳米线薄膜。

10.根据权利要求5或9所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：所述溶剂为乙醇、异丙醇或去离子水，所述银纳米线分散液的浓度为1mg/ml～20mg/ml。

11.根据权利要求4、5、7或9所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：形成所述银纳米线薄膜之后，还包括对所述银纳米线薄膜进行热处理的步骤。

12.根据权利要求11所述的石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法，其特征在于：对所述银纳米线薄膜进行热处理的温度为100℃～200℃，对所述银纳米线薄膜进行热处理的时间为5分钟～10分钟。