[发明专利]一种蓝宝石晶砖抛光方法

权利要求书

1.一种蓝宝石晶砖抛光方法，其特征在于，用治具将蓝宝石晶砖装夹固定在双面抛光机的上抛光盘与下抛光盘之间，上抛光盘与下抛光盘均采用树脂铜盘，抛光液使用钻石抛光液，钻石抛光液中钻石微粉粒径90wt％以上颗粒分布在2～7μm范围内，抛光液的pH＝8～11，抛光盘温度控制在22～33℃之间，抛光过程包括先后执行的以下三个步骤：

第一抛光步骤：抛光头压力控制在0.35～0.6N/cm²，上抛光盘转速控制在10～20转/分，下抛盘转速控制在8～15转/分，抛光液流量控制在15～20mL/min；

第二抛光步骤：抛光头压力控制在0.50～0.85N/cm²，上抛光盘转速控制在25～30转/分，下抛光盘转速控制在15～20转/分，抛光液流量控制在12～16mL/min；

第三抛光步骤：抛光头压力控制在0.25～0.55N/cm²，上抛光盘转速控制在34～38转/分，下抛光盘转速控制在20～25转/分，抛光液流量控制在12～16mL/min。

2.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶砖抛光方法，其特征在于，所述第一抛光步骤的抛光时间为7～15min，所述第二抛光步骤的抛光时间为15～25min，所述第三抛光步骤的抛光时间为5～12min。

3.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶砖抛光方法，其特征在于，所述第一抛光步骤、第二抛光步骤及第三抛光步骤中，上抛光盘与下抛光盘的转向均相反，且从第一抛光步骤到第三抛光步骤，上抛光盘及下抛光盘的转速均递增。

4.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶砖抛光方法，其特征在于，所述第一抛光步骤、第二抛光步骤及第三抛光步骤中，上抛光盘的转速均大于下抛光盘的转速。

5.根据权利要求1所述的一种蓝宝石晶砖抛光方法，其特征在于，所述第二抛光步骤的抛光液流量比第一抛光步骤的抛光液流量小，第三抛光步骤与第二抛光步骤的抛光液流量相同。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的一种蓝宝石晶砖抛光方法，其特征在于，所述蓝宝石晶砖抛光方法所抛光的蓝宝石晶砖厚度大于5mm且小于100mm，长宽方向的尺寸均位于35mm～220mm之间，单片晶砖的重量为50g～5000g。