[发明专利]氮化硼纳米片连续薄膜、其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610584210.9 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107641789B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 姚亚刚;李涛涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/35;C23C16/34;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 纳米 连续 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种氮化硼纳米片连续薄膜的制备方法，其特征在于包括：直接在基底表面形成厚度为1～500nm的前驱物薄膜，之后在含氮反应气氛中加热至1000～1400℃并保温反应，制得所述氮化硼纳米片连续薄膜，并且所述氮化硼纳米片连续薄膜与基底之间无金属催化剂层；所述前驱物薄膜包含的前驱物的成分为(MxOy)m•(B2O3)n，其中M选自锂、铍、镁、钙、锶、钡、铝、镓、铟、锌、钛和硅中的任意一种或两种以上的组合， m/n=1:10~1000:1，若M为一价金属离子，则x=2y，若M为二价金属离子，则x=y，若M为三价金属离子，则2y=3x，若M为四价Si离子，则y=2x；所述氮化硼纳米片连续薄膜由尺寸为1～50µm的六方氮化硼纳米片单晶聚集而成，厚度介于1～100原子层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于还包括：在所述基底和氮化硼纳米片连续薄膜上形成金属氧化物层或氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于包括：采用磁控溅射、电子束蒸镀、热蒸镀、脉冲激光沉积、分子束外延和原子层沉积中的至少一种方式于所述基底表面沉积形成所述前驱物薄膜。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述含氮反应气氛选自氨气和/或氮气或氨气和/或氮气与稀释气体形成的混合气氛，所述稀释气体包括惰性气体。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基底包括硅基底或氧化硅基底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610584210.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
