[发明专利]一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器有效
申请号: | 201610578034.8 | 申请日: | 2016-07-19 |
公开(公告)号: | CN106289515B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 胡小龙;刘海毅;程宇豪 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人: | 李林娟 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 增益 结构 导纳 米线 光子 探测器 | ||
1.一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器,所述超导纳米线单光子探测器包括:作为光敏区的第一纳米线,所述超导纳米线单光子探测器还包括:
作为自增益区的第二纳米线,所述第一纳米线与所述第二纳米线并联连接;
所述第一纳米线用于探测光子,所述第二纳米线用于储存电流,实现对脉冲信号的放大;
在所述第一纳米线与所述第二纳米线的并联支路上,串联第三纳米线,其特征在于,
所述第二纳米线与所述第一纳米线的宽度比值为N,N的取值大于1;
所述第三纳米线的宽度为第一纳米线和第二纳米线的宽度和;
所述第二纳米线的长度用于控制第一和第二纳米线的电感比例,通过调节所述第二纳米线的长度,控制第一和第二纳米线的长度比例,进而控制电感比例,使第一和第二纳米线都处于高偏置电流的状态;
所述第三纳米线用于增加支路总电感,通过控制所述第三纳米线长度控制支路总电感,以此防止热闭锁效应。
2.根据权利要求1所述的一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器,其特征在于,第一纳米线吸收光子,被触发;第一纳米线的电流被分流到自增益区中;
第一纳米线和第二纳米线同时被触发,偏置电流都被分流到负载电阻上,获取到电压幅值比较大的脉冲;
随后第一纳米线和第二纳米线被冷却,恢复超导状态,偏置电流回流到第一纳米线和第二纳米线中,直到达到探测光子之前的状态。
3.根据权利要求1所述的一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器,其特征在于,所述第一纳米线为回型结构纳米线。
4.根据权利要求1所述的一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器,其特征在于,将所述第三纳米线的长度等效为串联电感的取值,所述串联电感的取值具体为:
令串联电感以10nH为单位取一系列值,分别代入到电热模型中进行仿真,然后挑出没有发生热闭锁效应、且电感值最小的串联电感,将最小的串联电感对应的电感值作为串联电感值。
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