[发明专利]一种非易失性存储器的数据读取装置及方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的数据读取装置，其特征在于，包括：

读取比较器，所述读取比较器的输入端与读取参考电压和存储单元的输出端相连，用于根据接收到的读取请求，将所述存储单元的单元电压与读取参考电压进行比较，并输出读取结果；

校验比较器，所述校验比较器的输入端与校验参考电压和存储单元的输出端相连，用于将所述存储单元的单元电压与校验参考电压进行比较，并输出校验结果；其中，所述校验参考电压小于所述读取参考电压；

偏移地址记录单元，与所述读取比较器和所述校验比较器相连，用于根据读取结果和校验结果，在确定单元电压高于设定门限值时，确定所述存储单元为偏移存储单元，则记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；

读取纠正单元，与所述偏移地址记录单元相连，用于如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值，并抑制所述读取比较器的输出。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述偏移地址记录单元具体用于：

如果所述单元电压大于校验参考电压，且小于读取参考电压，则确定所述存储单元为偏移存储单元；

如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为擦除存储单元；

如果所述单元电压大于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为编程存储单元。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述设定值为“1”。

4.根据权利要求1-3任一所述的装置，其特征在于，所述读取比较器的输入端分别与存储单元的漏极和读取参考存储单元的漏极相连，所述校验比较器的输入端分别与存储单元的漏极和校验参考存储单元的漏极相连，

其中，存储单元的漏极与第一电阻相连，第一电阻的另一端与电源相连，存储单元的源极接地；

读取参考单元的漏极与第二电阻相连，第二电阻的另一端与电源相连，读取参考单元的源极接地；

校验参考单元的漏极与第三电阻相连，第三电阻的另一端与电源相连，校验参考单元的源极接地。

5.一种非易失性存储器的数据读取方法，采用权利要求1-4任一所述的非易失性存储器的数据读取装置来执行，其特征在于，所述方法包括：

根据接收到的读取请求，读取存储单元的单元电压；

通过读取比较器将所述单元电压与读取参考电压进行比较，以输出读取结果；

通过校验比较器将所述单元电压与校验参考电压进行比较，以输出校验结果；

如果根据读取结果和校验结果，在确定单元电压高于设定门限值时，确定存储单元为偏移存储单元，则通过偏移地址记录单元记录所述偏移存储单元的偏移单元地址；

如果接收到的读取请求命中所述偏移单元地址时，通过读取纠正单元确定对所述偏移存储单元的读取结果为设定值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据读取结果和校验结果， 在确定单元电压高于设定门限值时，确定存储单元为偏移存储单元包括：

如果所述单元电压大于校验参考电压，且小于读取参考电压，则确定所述存储单元为偏移存储单元；

如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为擦除存储单元；

如果所述单元电压小于校验参考电压和读取参考电压，则确定所述存储单元为编程存储单元。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述设定值为“1”。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述接收到的读取请求具体为：存储单元的栅极、读取参考存储单元的栅极及校验存储单元的栅极施加读电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述读电压大小为5V-8V。