[发明专利]具有纳米间隙长度的电极结构的制作方法、通过该方法得到的具有纳米间隙长度的电极结构和纳米器件有效
| 申请号： | 201610573266.4 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106206685B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 真岛丰;寺西利治;村木太郎;田中大介 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/76;H01L21/288;B82Y10/00;B82Y40/00;C23C18/16;C23C18/44;H01L21/768 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 梁海莲;余明伟 |
| 地址： | 日本琦玉*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 间隙 长度 电极 结构 制作方法 通过 方法 得到 器件 | ||
【权利要求书】：
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