[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

a)在衬底上提供第一导电类型的第一外延层；

b)在所述第一外延层上形成掩模层，以限定第二导电类型的柱形扩散区所在的区域；

c)使用兆电子伏特级能量的第二导电类型掺杂剂离子，对第一外延层进行离子注入，以形成第二导电类型掺杂剂本体区；

d)去除所述掩模层；

e)进行高温推阱，使第二导电类型掺杂本体区中第二导电类型掺杂物进行扩散，得到第二导电类型的柱形扩散区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过光刻工艺在所述第一外延层上形成具有特定图案的光刻胶层作为所述掩模层，所述光刻工艺包括：

在所述第一外延层上形成所述光刻胶层，所述光刻胶层的厚度为5微米至6微米；

通过对准、曝光、显影工艺去除光刻胶层中的特定部分以暴露部分第一外延层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一外层延的厚度大于或等于10微米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在进行高温推阱之前，多次重复步骤a)至步骤d)，以达到预定的总外延层厚度。

5.如权利要求4所述的方法，还包括在重复步骤a)之前，去除上一层外延层的表面氧化层。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高温推阱使得各外延层 中形成的第二导电类型的柱形扩散区在垂直方向上形成连接。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二导电类型掺杂剂离子为硼离子。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述掩模层之后，进行表面检查，以确保掩模层去除干净。

10.一种半导体器件，包括通过权利要求1至9中的任一项所述的方法制造的结构。