[发明专利]透明导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201610551642.X | 申请日: | 2016-07-14 |
公开(公告)号: | CN106024112B | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 赵志强;黄静;刘江峰;尤帅;耿晓菊;张敏;梦蓝翔 | 申请(专利权)人: | 信阳师范学院 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/12 |
代理公司: | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙)32276 | 代理人: | 项丽 |
地址: | 464000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于光电材料与技术领域,具体的说是涉及一种透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
目前,在新型光电器件如薄膜太阳电池、OLED等中使用的最普遍的电极材料是氧化铟锡(ITO),它是由90%的氧化铟与10%的氧化锡共同组成,但是不可忽视的是铟在地球上的储量比较少,价格昂贵,而且这种氧化导电薄膜柔韧性差,制备工艺所需成本高,其在光电器件的制备成本中要占据45%的能源消耗和50%的材料成本,这大幅度限制了ITO在实际中的应用。因此,寻找替代ITO的透明电导材料是目前研究人员关注的一个热点问题。近年来,许多新型的导电材料被开发出来,例如导电聚合物、碳纳米管、石墨烯和金属纳米线等。而在这些材料中,导电聚合物PEDOT:PSS由于其在可见光范围具有很高的透过率、容易湿法制备和柔韧性好等优点可以作为ITO的替代物之一。但是,由于PEDOT:PSS薄膜是由绝缘的PSS与导电的PEDOT交联形成的,原始的PEDOT:PSS薄膜的电导率通常很低(低于1S·cm-1),远比ITO的电导率(通常大于4000S·cm-1)小。因此,现有的PEDOT:PSS薄膜在作为电极使用时受限。
发明内容
为了克服上述缺陷,本发明提供了一种透明导电薄膜的制备方法,大大提高透明导电薄膜PEDOT:PSS的电导率,使其可作为透明电极使用。
本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、基底清洗:选择透明基底,分别在二次水、丙酮、异丙醇中超声清洗,每次超声清洗5~15分钟,然后在真空烘箱中干燥;
步骤2、第一次涂覆:清洗过的透明基底进行紫外臭氧处理5~10分钟,然后在该透明基底表面旋涂或刮涂一层80~100纳米厚的PEDOT:PSS薄膜;
步骤3、烘干:将步骤2涂覆的PEDOT:PSS薄膜在加热台上,以150摄氏度加热10~30分钟;
步骤4、第二次涂覆:在加热后的PEDOT:PSS薄膜表面,旋涂或刮涂改性液,厚度为10~30纳米;
步骤5、二次加热:将涂覆改性液的PEDOT:PSS薄膜在加热台上加热,以150摄氏度加热20分钟;
步骤6、冷却检验:将二次加热后的PEDOT:PSS薄膜冷却至室温,并将其转移至氮气保护气氛中检验;
其中,所述透明基底为钠钙玻璃或者PET柔性材料,所述改性液由下列物质组成:3-环已胺基-2-羟基丙磺酸5~20 mg、二甲基亚砜0.1~0.2 ml、甲醇0.8~0.9ml,所述二次水为18兆欧的去离子水。
作为本发明的进一步改进,所述透明基底的透光率大于85%。作为本发明的进一步改进,所述PEDOT:PSS薄膜的型号为Clevios PH 500或者Clevios PH 1000。
作为本发明的进一步改进,制备100纳米以上的透明导电薄膜,重复所述步骤 2 ~ 步骤5。
本发明的有益效果是:
1.原料采用有机聚合物和有机小分子,原料来源广泛,成本低廉,降低了透明导电薄膜的制备成本。
2.本发明所有制备过程均采用低温(不超过150摄氏度)溶液法制备,工艺要求简单,易于工业化生产,具有采用卷对卷大规模制备的潜力。
3.本发明制备的导电薄膜可以在光电器件中替代ITO,降低器件成本,节约能源。
具体实施方式
结合实施例,对本发明作详细说明,但本发明的保护范围不限于下述实施例,即但凡以本发明申请专利范围及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰,皆仍属本发明专利涵盖范围之内。
实施例1:
一种透明导电薄膜的制备方法如下:
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