[发明专利]一种微晶结构金属磷酸盐及其制备方法在审
申请号: | 201610546995.0 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN107611427A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 王科伟;张军 | 申请(专利权)人: | 南通亨利锂电新材料有限公司 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58 |
代理公司: | 上海衡方知识产权代理有限公司31234 | 代理人: | 卞孜真 |
地址: | 226000 江苏省南通*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结构 金属 磷酸盐 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种微晶相金属磷酸盐及其制备方法,属于合成制备锂离子电池正极材料的关键主原料,最终应用于储能、动力等新能源相关的锂离子电池领域。
背景技术
随着新能源汽车、大型储能、家用储能的迅速发展,磷酸铁锂电池市场应用突飞猛进,磷酸铁锂正极材料压实低、导电性相对较差、成品电池内阻偏高、中高倍率循环寿命差等问题再次凸显,加之面临高端三元材料、锰酸锂材料、燃料电池、锂空气电池等等挑战,在这样的行业发展背景下,磷酸铁锂正极材料的完善与升级显得格外重要。而磷酸铁锂升级改善的最关键环节,在于其关键原材料正磷酸铁的改善与提升。
国内外电池级正磷酸铁的研究与生产起步虽然都比较晚,但是都在研发早期就正磷酸铁的优势与不足进行产品改善,如PHOSTECH、BYD等公司在研发早期即关注正磷酸铁本身的改善与优化,如通过对正磷酸铁进行碳复合、Co、Ni、Mn、Ti等多种金属元素的掺杂,以求最终能够提高磷酸铁锂的导电性与能量密度。
针对正磷酸盐提出的上述改善方法,可能存在降低压实密度、破坏磷酸铁锂橄榄石结晶结构的问题,对于电池的能量密度、倍率循环寿命等存在负面影响。
发明简述
本发明提出一种微晶相的金属磷酸盐及其制备,通过控制磷酸盐沉淀过程、粉体煅烧条件,保证微晶相的煅烧过程中均匀可控地生成,所得金属磷酸盐粉体,以正磷酸铁为例,具有晶粒分布尺寸完整、结晶程度一致、振实密度合理等特点。最终保证磷酸铁锂/磷酸锰锂/磷酸钴锂等正极材料具有粒度分布均匀、振实密度合理、较高的能量密度(提高压实密度)、良好的倍率循环寿命等优势。
根据本发明的一个方面,本发明提供了一种微晶结构金属磷酸盐,所述微晶结构金属磷酸盐可以表示为MPO4.xH2O,其中,M为Fe、Co、Ni、Mn、Al中的一种金属磷酸盐或者两种以上金属的复合磷酸盐,x=0,1,或2。
根据本发明的某些实施方式,所述微晶结构的粉体由粒径均匀的微晶粒组成,微晶粒尺寸是200nm~1000nm。
根据本发明的某些实施方式,所述微晶结构具有较高的振实密度,优选振实密度的范围为0.7-1.0g/cm3。
根据本发明的一个方面,本发明提供了一种制备如权利要求1-3中任一项所述的微晶结构金属磷酸盐的方法,所述方法包括
a)将可溶性金属盐或者其他金属化合物加入水中,搅拌条件下加入强酸溶液、中强酸、或者强酸/中强酸与氧化剂的混合溶液,持续加热搅拌,同时匀速加入含磷化合物,加入pH值调节剂,形成金属磷酸盐的多晶沉淀或者非晶/无定形沉淀;
b)过滤,充分洗涤并烘干,得到金属磷酸盐多晶粉体或者非晶/无定形的粉体,将所述金属磷酸盐多晶粉体或者非晶/无定形粉体在空气中进行煅烧,然后在空气中快速冷却。
根据本发明的某些实施方式,所述可溶性金属盐包含硝酸盐、硫酸盐、氯化物等。
根据本发明的某些实施方式,所述含磷化合物包含正磷酸、磷酸盐、磷酸二氢盐等。
根据本发明的某些实施方式,所述中强酸为磷酸、硝酸、硫酸、或盐酸。
根据本发明的某些实施方式,所述氧化剂为氧气、臭氧、过氧化钠、过氧化氢、浓硝酸、高氯酸、热空气。
根据本发明的某些实施方式,所述煅烧的煅烧温度为200℃~700℃,煅烧时间为30min~300min。
根据本发明的某些实施方式,所述冷却是冷却至80℃以下,平均冷却速度控制在5℃/min~10℃/min。
根据本发明的某些实施方式,所述方法还包括在煅烧之前,增加混入煅烧助剂。
根据本发明的某些实施方式,所述混入煅烧助剂包含氧化锂、氟化锂、磷酸二氢锂、碳酸锰、氧化钛等。
附图说明
图1显示实施例1的微晶正磷酸铁的扫描电镜图,其中,通过化学沉淀制备的多晶磷酸铁粉体,经过较低烧结温度,初步形成微晶磷酸盐粉体,晶粒粒径分布在50-400nm,尤其以100-300nm的晶粒为主;
图2显示实施例5的微晶正磷酸铁的扫描电镜图,其中,通过调整磷酸铁多晶的煅烧温度与时间,获得最优微晶粉体,粒度分布在200-1000nm,其中以500-1000nm的晶粒为主;和
图3显示对比例的多晶正磷酸铁的扫描电镜图,其中,通过化学沉淀方法制备的多晶磷酸铁粉体,未经任何煅烧处理,多晶的晶粒粒径分布在20-100nm,其中以30-80nm的晶粒为主。
发明详述
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