[发明专利]一种激光高效制备方钴矿热电材料的方法有效
申请号: | 201610545800.0 | 申请日: | 2016-07-12 |
公开(公告)号: | CN106191522B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 陈立东;姚铮;李小亚;唐云山;王超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C22C12/00 | 分类号: | C22C12/00;C22C1/04;B22F3/105;B33Y10/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 高效 制备 方钴矿 热电 材料 方法 | ||
1.一种激光高效制备方钴矿热电材料的方法,其特征在于,包括:
1)按照方钴矿热电材料的化学式,称量单质金属的粉体作为原料粉体,均匀混合后置于石墨基体中;
2)将装有原料粉体的石墨基体置于惰性气氛和/或氢气中,采用激光熔融技术加热原料粉体,随着激光光斑的移动,原料粉体熔融随后冷凝得到铸锭,所述激光熔融技术的工艺参数包括:加热光源的输出功率控制在150~200W,光斑移动速率为100~150mm/min,多道间距为3.75~4mm;
3)将步骤2)制备的铸锭研磨成粉末,放电等离子烧结铸锭粉末,得到所述方钴矿热电材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述方钴矿热电材料包括CoSb3、掺杂的CoSb3基化合物及填充CoSb3基化合物。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述原料粉体的尺寸为200目。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述石墨基体具有深度为0.5mm~2mm的基体槽。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述惰性气氛为氩气、氦气中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述加热光源为Nd-YAG激光源、CO2激光源、或光纤激光源。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述放电等离子烧结的工艺参数包括:真空度<10Pa,升温速率80~120℃/min,烧结温度580~620℃,保温时间5~10min,烧结压力40~50MPa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610545800.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型过滤网外框材料
- 下一篇:一种外氧化弥散强化铜合金的制备工艺