[发明专利]靶材的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及靶材的加工方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)以其无辐射、省电、所占空间小等优点逐渐取代传统阴极射线显像管(CRT)显示器，现已被广泛应用到生产、生活的各个领域，比如电脑显示器、笔记本电脑、平板电脑、手机、电视、监控设备、工业控制仪表等。而且据统计显示，液晶显示器仍以每年10％以上增长以顺应市场需求。

金属靶材是液晶显示器制造中最重要的原材料之一，液晶显示器的制造普遍采用物理气相沉积工艺，在物理气相沉积过程中，电离形成的氩离子在电场的作用下加速，加速的氩离子轰击金属靶材形成大量靶材原子，溅射出的大量靶材原子沉积在基板上形成薄膜。

随着电子信息产业的高速发展，如集成电路制造过程中，芯片的特征尺寸不断减小，集成电路的电子器件集成度不断提高，因而对靶材溅射镀膜的均匀性要求也越来越高。

相应的，对溅射靶材的质量要求也在不断提高。例如靶材表面的平面度、平行度等对于镀膜均匀性具有重要影响。所谓的平面度指靶材表面凹凸高度相对于理想平面的偏差，平行度指靶材两个平面或者两直线平行的程度，具体指一个平面(或边)相对于另一平面(或边)平行的误差最大允许值。

在靶材加工过程中，需要按照预定尺寸对靶材的靶坯的侧面和溅射面进行加工，以提高靶材的平行度和平面度，并使所述靶材满足溅射设备的尺寸要求。

但是，现有技术靶材的加工质量有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种靶材的加工方法，提高靶材的加工质量。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材的加工方法，包括：提供靶坯，所述靶坯包括溅射面、与所述溅射面相对的焊接面，以及位于所述溅射面和焊接面之间的侧面；对所述靶坯溅射面和焊接面进行平面加工工艺；对所述靶坯侧面进行侧面加工工艺；其中，所述平面加工工艺和所述侧面加工工艺均包括多次切削。

可选的，所述平面加工工艺和侧面加工工艺均为铣削加工工艺。

可选的，所述平面加工工艺依次包括：平面粗加工工艺、平面半精加工工艺和平面精加工工艺，所述平面粗加工工艺、平面半精加工工艺和平面精加工工艺均包括多次铣削。

可选的，垂直于所述溅射面的方向为第一方向，所述平面粗加工工艺的步骤包括：采用直径为200毫米至300毫米的第一盘刀，主轴转速为1000转每秒至1400转每秒，在所述溅射面或焊接面上的进给量为600毫米每分钟至700毫米每分钟，沿第一方向的吃刀量为0.18毫米至0.22毫米。

可选的，垂直于所述溅射面的方向为第一方向，所述平面半精加工工艺的步骤包括：采用直径为200毫米至300毫米的第二盘刀，主轴转速为1000转每秒至1400转每秒，在所述溅射面或焊接面上的进给量为400毫米每分钟至600毫米每分钟，沿第一方向的吃刀量为0.08毫米至0.12毫米。

可选的，垂直于所述溅射面的方向为第一方向，所述平面精加工工艺的步骤包括：采用直径为200毫米至300毫米的第三盘刀，主轴转速为1000转每秒至1400转每秒，在所述溅射面或焊接面上的进给量为40毫米每分钟至60毫米每分钟，沿第一方向的吃刀量为0.04毫米至0.06毫米。

可选的，所述平面精加工工艺采用的第三盘刀为金刚石刀片。

可选的，所述侧面加工工艺为精铣外形工艺。

可选的，垂直于所述溅射面的方向为第一方向，所述侧面加工工艺的步骤包括：采用直径为18毫米至22毫米的钨钢铣刀，主轴转速为3500转每秒至4500转每秒，在所述侧面上的进给量为1800毫米每分钟至2200毫米每分钟，垂直于第一方向的吃刀量为0.4毫米至0.6毫米。

可选的，所述侧面加工工艺在所述平面精加工工艺之前进行。

可选的，所述侧面加工工艺在所述平面粗加工工艺和平面半精加工工艺之间进行。

可选的，在进行所述平面加工工艺和侧面加工工艺时，采用工业酒精进行冷却。

可选的，所述靶坯的形状为长方形。

可选的，所述靶坯的材料为铜。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：