[发明专利]电子器件及制造其的方法

说明书

一种半导体器件可以包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个狗骨头型导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触，且具有凹部和凸部；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年11月26日提交的申请号为10-2015-0166287、题为“电子器件及制造其的方法”的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本专利文件涉及存储电路或器件及其在电子设备或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子装置趋向于小型化、低功耗、高性能和多功能等，本领域中已经需要能够在诸如计算机和便携式通信设备等的各种电子装置中储存信息的半导体器件，且已经对这些半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括通过使用根据施加的电压或电流而在不同阻态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。

发明内容

本专利文件中所公开的技术包括存储电路或器件及其在电子设备或系统中的应用以及包括能够改善可变电阻元件的特性的半导体存储器的电子设备的各种实施方式。

在一种实施方式中，半导体器件可以包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个狗骨头型导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触，且具有凹部和凸部；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠。

以上半导体器件的实施方式可以包括下面中的一种或更多种。

刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。导线的凹部位于与第一接触相对应的位置处。导线的凸部位于沿第二方向布置的第二接触之上。刻蚀阻止图案以具有凹部和凸部的狗骨头型形成，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。刻蚀阻止图案具有凹部和凸部，且以反狗骨头型来形成，反狗骨头型的凸部和凹部分别与导线的凹部和凸部交叠。刻蚀阻止图案以线型形成，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的凸部的线宽。半导体器件还包括形成在导线的两个侧表面上的间隔物。半导体器件还包括以网格型布置以与第一接触交叠的多个第三接触。半导体器件还包括布置在第三接触之上以与第三接触接触的数据储存元件。数据储存元件包括电容器或可变电阻元件。刻蚀阻止图案包括绝缘材料。刻蚀阻止图案包括氮化物材料。

在一种实施方式中，半导体器件可以包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。

以上半导体器件的实施方式可以包括下面中的一种或更多种。

刻蚀阻止图案包括线图案。刻蚀阻止图案以具有凹部和凸部的狗骨头型来形成，且刻蚀阻止图案的凸部位于与第一接触相对应的位置处。半导体器件还包括形成在导线的两个侧表面上的间隔物。半导体器件还包括以网格型来布置而与第一接触交叠的多个第三接触。半导体器件还包括形成在第三接触之上以与第三接触接触的数据储存元件。数据储存元件包括电容器或可变电阻元件。刻蚀阻止图案包括绝缘材料。刻蚀阻止图案包括氮化物材料。