[发明专利]用于浸没式光刻机的双工件台装置以及浸没式光刻机有效
申请号: | 201610510702.3 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN107561866B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 丛国栋;郑清泉;方洁 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 浸没 光刻 双工 装置 以及 | ||
本发明涉及一种用于浸没式光刻机的双工件台装置以及浸没式光刻机,所述双工件台装置包括:两个工件台,所述两个工件台各包括粗动模块、防撞模块和微动模块,所述防撞模块固定在所述粗动模块上;交换机构,所述交换机构设置在所述两个工件台中的一个或两者的防撞模块上并且包括交换桥板和升降机构,所述升降机构能够将所述交换桥板从初始位置转到工作位置,使得在双工件台交换时交换桥板位于两个工件台的微动模块之间并且其顶表面与两个工件台的微动模块的顶表面基本处于同一平面内。本发明避免了交换机构对工件台的微动模块上的长条镜的遮蔽并且改善了双台交换时浸没液场的维持。
技术领域
本发明涉及微电子装备领域,特别涉及一种用于浸没式光刻机的双工件台装置以及浸没式光刻机。
背景技术
浸没式双工件台光刻机的使用使得“干式测量,浸没曝光”成为可能:即硅片在测量位置完成“干式”测量,在得到硅片的精确三维形貌后,利用双工件台光刻机特有的检焦算法可以预先得到硅片的离焦量,继而在曝光位置无需再进行调平调焦测量即可将硅片定位到理想焦面完成浸没曝光,实现了双工件台技术与浸没曝光技术的无缝衔接。
浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体。投影物镜的数值孔径NA=nsinθ,其中,n为投影物镜与硅片之间介质的折射率,θ为光线最大入射角。在最大入射角相同的情况下,浸没式光刻系统的数值孔径比传统光刻系统增大了n倍。而从傅里叶光学的角度,数值孔径扮演着空间频率低通滤波器阈值的角色。注入高折射率的浸没液体可以使更高空间频率的光波入射到光刻胶上,因此成像分辨率得以提高。
然而,由于现有的双工件台交换桥设置在工件台的微动模块侧边,如应用在具有长条镜的微动模块上,将不可避免的造成对长条镜的遮蔽,妨碍位置测量,而且在双工件台交换位置时可能存在浸没液体泄漏的问题,造成浸没液体维持的设计和实现难度较大。
需要说明的是,公开于该发明背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明的一般背景技术的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明提出一种用于浸没式光刻机的双工件台装置,避免了交换机构对工件台的微动模块上的长条镜的遮蔽并且改善了双台交换时浸没液场的维持。
为了达到上述目的,在本申请的一个方面,提供一种用于浸没式光刻机的双工件台装置,所述双工件台装置包括:
两个工件台,所述两个工件台各包括粗动模块、防撞模块和微动模块,所述粗动模块设置在所述微动模块下方并且用于移动所述微动模块,所述防撞模块固定在所述粗动模块上;
交换机构,所述交换机构设置在所述两个工件台中的一个或两者的防撞模块上并且包括交换桥板和升降机构,所述升降机构能够将所述交换桥板从第一位置转到第二位置,其中
在所述第一位置,所述交换桥板位于其所在的工件台的微动模块和防撞模块之间或位于所述防撞模块的下方,
在所述第二位置,所述交换桥板位于所述两个工件台的微动模块之间并且所述交换桥板的顶表面与两个工件台的微动模块的顶表面基本处于同一平面内。
在一些实施例中,所述微动模块侧面设置有长条镜,在所述第一位置,所述交换桥板不遮挡所述长条镜对应的探测光路。
在一些实施例中,所述交换桥板由交换桥板主体和设置在所述交换桥板主体两侧的柔性密封条组成。
在一些实施例中,在第二位置,所述交换桥板经由其两侧的柔性密封条与所述两个工件台的微动模块的上边沿过盈配合,以消除交换桥板与微动模块之间的间隙。
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