[发明专利]全色像素布置、包含其的装置和其制造方法在审
申请号: | 201610474772.8 | 申请日: | 2016-06-24 |
公开(公告)号: | CN107464826A | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 迈克尔·哈克;迈克尔·斯图尔特·韦弗;尼古拉斯·J·汤普森;茱莉亚·J·布朗;马瑞清 | 申请(专利权)人: | 环球展览公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 曹晓斐 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全色 像素 布置 包含 装置 制造 方法 | ||
1.一种全色像素布置,其包含:
包含多个第一电极的第一电极层;
安置在所述多个第一电极的至少一部分上的图案化第一有机发射层;
安置在所述第一有机发射层上的毯覆式第二有机发射层;
安置在所述第一与第二有机发射层之间的第二电极层;和
安置在所述第二有机发射层上的第三电极层;
其中所述第一、第二和第三电极层中的每一者内的电极可经由所述布置外部的电连接寻址。
2.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述布置包含恰好两种色彩的有机发射层。
3.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述第一电极中的每一者可独立寻址。
4.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述第一和第二有机发射层中的每一者可独立寻址。
5.根据权利要求1所述的全色像素布置,其进一步包含与所述第一有机发射层的第一区域呈堆叠方式安置的第一变色层。
6.根据权利要求5所述的全色像素布置,其进一步包含与所述第一有机发射层的第二区域呈堆叠方式安置的第二变色层,所述第二区域不同于所述第一有机发射层的所述第一区域。
7.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述图案化第一有机发射层界定多个子像素。
8.根据权利要求7所述的全色像素布置,其中每个子像素具有单独的背板电路。
9.根据权利要求7所述的全色像素布置,其中每个子像素具有共同的背板电路。
10.根据权利要求7所述的全色像素布置,其中所述布置包含每一子像素少于一个背板电路。
11.根据权利要求7所述的全色像素布置,其中所述多个子像素的第一子像素具有第一光程长度,并且所述多个子像素的第二子像素具有第二光程长度,所述第二光程长度不同于所述第一光程长度。
12.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述第二电极层是透明的。
13.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述第二电极在450-700nm范围中的吸收不超过30%。
14.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述第一有机发射层包含发黄光的发射材料,所述第二有机发射层包含发蓝光的发射材料,或两者兼俱。
15.根据权利要求14所述的全色像素布置,其中所述第二有机发射层包含发蓝光的发射材料,所述布置进一步包含与所述第二有机发射层呈堆叠方式并且不与所述第一有机发射层呈堆叠方式安置的深蓝色变色层。
16.根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述布置包含至少四种色彩的子像素。
17.根据权利要求1所述的全色像素布置,其进一步包含光学耦合到所述布置的至少一部分并且与所述多个第一电极中的至少一者呈堆叠方式安置的出耦组件。
18.根据权利要求1所述的全色像素布置,其进一步包含安置在所述多个第一电极的至少一部分上的图案化第三有机发射层,其中所述图案化第三有机发射层包含具有色彩不同于所述图案化第一有机发射层的峰值波长的峰值波长的发射材料,并且其中所述图案化第三有机发射层不安置在所述图案化第一有机发射层上。
19.一种装置,其包含根据权利要求1所述的全色像素布置,其中所述装置包含选自由 以下组成的群组中的至少一者:平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光印刷机、电话、手机、平板计算机、平板手机、个人数字助理PDA、膝上型计算机、数码相机、摄录像机、取景器、微型显示器、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、大面积墙壁、剧院或体育馆屏幕,和指示牌。
20.一种制造全色像素布置的方法,其包含:
将包含多个第一电极的第一电极层安置在衬底上;
制造安置在所述多个第一电极的至少一部分上的图案化第一有机发射层;
制造安置在所述第一有机发射层上的毯覆式第二有机发射层;
制造安置在所述第一与第二有机发射层之间的第二电极层;和
制造安置在所述第二有机发射层上的第三电极层;
其中所述第一、第二和第三电极层中的每一者内的电极可经由所述布置外部的电连接寻址。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的