[发明专利]表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法在审
申请号: | 201610457712.5 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN107519941A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 沙冰娟 | 申请(专利权)人: | 张家港市金港镇宏业海绵复合厂 |
主分类号: | B01J31/38 | 分类号: | B01J31/38 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 | 代理人: | 陆华君 |
地址: | 215635 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 分子 印迹 掺杂 氧化 光催化剂 制备 方法 | ||
技术领域
本申请属于废水处理技术领域,特别是涉及一种表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法,以克服现有技术中的不足。
背景技术
硒化镉是禁带宽度为1.7eV的直接带隙半导体材料,具有立方闪锌矿和六方纤锌矿两种晶体结构,其中立方相结构为亚稳态,只能存在于较低温度,高温时转变为六方相结构。硒化镉在常温下可同时存在立方和六方两种晶相。硒化镉纳米晶是半导体纳米晶中研究最广泛,应用前景最好的一类II-VI族半导体纳米晶,由于其具有重要的非线性光学性质,发光性质及其他物理化学特性而备受世人的瞩目。作为一种非常重要的半导体材料,已经在各种发光装置,激光与红外探测器件,红外窗口与非线性光学材料和光敏传感器等领域展示了广阔的应用前景。特别是硒化镉能很好地吸收可见光,因而它是光化学催化剂的首选材料。
硒化镉极易光腐蚀,光稳定性差,二氧化钛的光吸收阈值局限在紫外光去,太阳利用率低,这些不足极大限制了他们性能的发挥。
发明内容
本发明的目的在于提供一种表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法,以克服现有技术中的不足。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本申请实施例公开一种表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法,包括步骤:
(1)、将TC、功能单体4-乙烯基吡啶、TMPTA和AIBN溶解在甲苯中,制备前驱体溶液;
(2)、将氯掺杂二氧化钛加入到前驱体溶液中,混合后进行微波反应,满足条件:
微波功率480~530W;
反应时间80~90min;
反应温度65~70℃;
微波反应器转速1800~2000r/min;
(3)、反应产物进行离心、洗涤和烘干,获得聚合物;
(4)、将聚合物置于甲醇和乙醇的混合溶液中进行索氏提取36~44小时,甲醇和乙醇的体积比为(9~11):1;
(5)、真空干燥,获得目标产品。
优选的,在上述的表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法中,步骤(1)中,TC:功能单体4-乙烯基吡啶:TMPTA:AIBN=1:(3~4):(6~7):(2.6~3)。
优选的,在上述的表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法中,步骤(1)中,TC的浓度为8~10mg/L。
优选的,在上述的表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法中,步骤(2)中,氯掺杂二氧化钛的制备方法:将二氧化钛粉末、氯化钠和无水乙醇混合进行球磨,获得湿粉;二氧化钛粉末和氯化钠的质量比为(2.8~3):1,将湿粉在50~60℃进行烘干2~4小时,然后在800~900℃条件下煅烧5~6小时。
优选的,在上述的表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法中,球磨满足条件:磨球直径4~6mm,球料比为(7~10):1,球磨转速500~600转/min,球磨时间5~7小时。
与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明催化剂具有优秀的耐腐蚀性和高稳定性,该催化剂对四环素的降解率达到75%以上。
具体实施方式
本发明通过下列实施例作进一步说明:根据下述实施例,可以更好地理解本发明。然而,本领域的技术人员容易理解,实施例所描述的具体的物料比、工艺条件及其结果仅用于说明本发明,而不应当也不会限制权利要求书中所详细描述的本发明。
实施例1
表面分子印迹氯掺杂二氧化钛光催化剂的制备方法
(1)、将二氧化钛粉末、氯化钠和无水乙醇混合进行球磨,获得湿粉,磨球直径4~6mm,球料比为(7~10):1,球磨转速500~600转/min,球磨时间5~7小时;二氧化钛粉末和氯化钠的质量比为2.8:1,将湿粉在60℃进行烘干2小时,然后在800℃条件下煅烧6小时。
(2)、将TC、功能单体4-乙烯基吡啶、TMPTA和AIBN溶解在甲苯中,制备前驱体溶液;
TC:功能单体4-乙烯基吡啶:TMPTA:AIBN=1:4:6:2.8。
TC的浓度为9mg/L。
(3)、将步骤(1)获得的氯掺杂二氧化钛加入到前驱体溶液中,混合后进行微波反应,满足条件:
微波功率480W;
反应时间80min;
反应温度65℃;
微波反应器转速2000r/min。
(4)、反应产物进行离心、洗涤和烘干,获得聚合物;
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