[发明专利]一种晶圆测试工艺

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆测试领域，尤其涉及一种晶圆测试工艺。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅。但是，传统晶圆测试过程繁琐，成本高，效率低。

发明内容

本发明的目的在于通过一种晶圆测试工艺，来解决以上背景技术部分提到的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶圆测试工艺，其包括如下步骤：

S101、IC测试：缺陷检查，刻蚀后图案的尺寸检测；

S102、IC封装：采用陶瓷、塑胶依次进行IC构装；

S103、芯片测试，芯片目检，芯片粘贴测试，压焊强度测试；

S104、稳定性烘焙，温度循环测试；

S105、离心测试，渗漏测试，高低温电测试。

特别地，所述步骤S102中IC构装具体包括：晶片切割，黏晶，焊线，IC构装制程。

特别地，所述高低温测试中高温设置温度范围为30-90度，低温设置范围 为零下5-0度。

本发明提出的晶圆测试工艺测试过程简单，成本低，效率高。

附图说明

图1为本发明实施例提供的晶圆测试工艺流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。

请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的晶圆测试工艺流程图。

本实施例中晶圆测试工艺具体包括如下步骤：

S101、IC测试：缺陷检查，刻蚀后图案的尺寸检测。

S102、IC封装：采用陶瓷、塑胶依次进行IC构装；在本实施例中所述IC构装具体包括：晶片切割，黏晶，焊线，IC构装制程。

S103、芯片测试，芯片目检，芯片粘贴测试，压焊强度测试。

S104、稳定性烘焙，温度循环测试。

S105、离心测试，渗漏测试，高低温电测试。所述高低温测试中高温设置温度范围为30-90度，低温设置范围为零下5-0度。

本发明的技术方案测试过程简单，成本低，效率高。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员 会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。