[发明专利]一种晶圆测试工艺在审
| 申请号： | 201610428647.3 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107516640A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 许斌 | 申请（专利权）人： | 许斌 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 徐鹏飞 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆测试工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S101、IC测试：缺陷检查，刻蚀后图案的尺寸检测；
S102、IC封装：采用陶瓷、塑胶依次进行IC构装；
S103、芯片测试，芯片目检，芯片粘贴测试，压焊强度测试；
S104、稳定性烘焙，温度循环测试；
S105、离心测试，渗漏测试，高低温电测试。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试工艺，其特征在于，所述步骤S102中IC构装具体包括：晶片切割，黏晶，焊线，IC构装制程。
3.根据权利要求1所述的晶圆测试工艺，其特征在于，所述高低温测试中高温设置温度范围为30-90度，低温设置范围为零下5-0度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
