[发明专利]互连结构及形成方法

权利要求书

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有前层待连接件；

形成依次位于所述前层待连接件上的第一介质层和替代介质层，所述替代介质层的介电常数小于所述第一介质层的介电常数；

形成位于所述替代介质层上的介质叠层；

在所述介质叠层、所述替代介质层以及所述第一介质层内形成开口，所述开口的底部露出所述前层待连接件；形成开口的步骤包括：对所述介质叠层进行第一刻蚀，所述第一刻蚀至露出所述替代介质层停止；对所述替代介质层和所述第一介质层进行第二刻蚀，至露出所述前层待连接件，形成所述开口；

向所述开口内填充导电材料，形成互连结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层和所述替代介质层的步骤中，所述替代介质层的介电常数在2到2.5范围内；所述第一介质层的介电常数在5.2到5.6范围内。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述替代介质层的步骤包括：形成材料包括氟碳化合物的所述替代介质层。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述替代介质层的步骤包括：形成厚度范围在到的所述替代介质层。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述替代介质层的步骤包括：通过化学气相沉积的方式形成所述替代介质层。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方式形成所述替代介质层的步骤包括：通过等离子体增强化学气相沉积法的方式形成所述替代介质层。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述替代介质层的步骤中，所采用的工艺气体包括：氟碳化合物和甲烷。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤包括：形成材料包括碳氮化硅的所述第一介质层。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤包括：形成厚度小于的所述第一介质层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在提供衬底之后，在形成所述第一介质层之前，所述形成方法还包括：形成覆盖所述前层待连接件的连接层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述连接层的步骤包括：形成材料包括富硅氮化硅的所述连接层。

12.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述连接层的步骤包括：形成厚度小于的所述连接层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质叠层的步骤包括，形成位于替代介质层上的初始层。

14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，形成所述初始层的步骤中，所述初始层的材料包括氧化物。

15.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，形成所述初始层的步骤包括：形成厚度在以下的所述初始层。

16.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成开口的步骤包括：所述开口包括：沟槽，贯穿部分厚度的介质叠层，以及通孔，位于沟槽底部，且所述通孔贯穿剩余介质叠层、替代介质层以及第一介质层；

形成互连结构的步骤中，所述互连结构包括连接插塞和连接导线。