[发明专利]电阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：

存储器单元，设置于第一导线与第二导线的交点之间，所述存储器单元包括以任意顺序串联下述三元件：

选择器结构，依序包括第一导电层、选择材料层与第二导电层，其中所述选择材料层的材料包括硅或二氧化钛或非晶系硫属化合物，且所述第一导电层与所述第二导电层的材料包括氮化钛、氮化钽、钛、钽或氧化铟锡；

第一限流器结构，依序包括第三导电层、第一金属层、第一限流材料层与第四导电层，其中所述第一限流材料层的材料为半导体材料，所述第一金属层的材料包括钛，且所述第三导电层与所述第四导电层的材料包括氮化钛、氮化钽、钛、钽或氧化铟锡；以及

电阻结构，依序包括第五导电层、可变电阻层与第六导电层。

2.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第五导电层或所述第六导电层的其中的一个的氧亲和力高于另外一个的氧亲和力。

3.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述存储器单元还包括第二限流器结构，与所述三元件串联。

4.根据权利要求3所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第二限流器结构还包括第七导电层、第二限流材料层与第八导电层。

5.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第五导电层与所述第六导电层的材料包括氮化钛、氮化钽、钛、钽或氧化铟锡。

6.根据权利要求1所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述可变电阻层的材料包括过渡金属氧化物。

7.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第七导电层与所述第八导电层的材料包括氮化钛、氮化钽、钛、钽或氧化铟锡。

8.根据权利要求4所述的电阻式随机存取存储器，其特征在于，所述第二限流材料层的材料包括硅或二氧化钛。