[发明专利]一种低功耗高PSRR的带隙基准电路有效
申请号: | 201610388834.3 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN105912066B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 李娅妮;庞光艺;朱樟明;杨银堂;孙亚东 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学昆山创新研究院;西安电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人: | 刘玲玲 |
地址: | 215347 江苏省苏州市昆山市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 psrr 基准 电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种带隙基准电路,具体涉及一种低功耗高PSRR的带隙基准电路,属于电学技术领域。
背景技术
模拟集成电路的一个主要电路结构就是带隙基准源,广泛地用于模拟混合集成电路中,用以提供一个不依赖于电源电压和温度变化的稳定的直流电压。传统的带隙基准电压源(附图1)当中普遍地要使用到运算放大器,然而由于CMOS技术的低电压趋势,在深亚微米工艺下,晶体管的本征增益典型值大约为20-30dB,这将导致运算放大器的性能下降,无法满足带隙基准电路对其增益、带宽等的要求,降低了带隙基准电路的PSRR及其稳定性。因此,必须采用新的设计技术和电路结构来实现低压低功耗带隙基准源,以提高电路性能,获得良好的带隙性能;其他技术如高阶温度补偿等也可以用来提高带隙基准电压源的性能,然而这些技术的使用不可避免地会增加电路的功耗,这在低功耗应用中是无法容忍的,因此从功耗的角度看,低功耗带隙基准电压源更加受到人们的关注。
图1所示的是传统的带隙基准电路的电路图。在图1所示的电路中,由于运算放大器的使用,不仅增加了整体电路的核心面积,而且使其消耗的功率大大上升,很大程度上增加了带隙基准电路的功耗及电路设计的复杂性,同时,如果运算放大器的设计不合理,其非理想因素如失调等若无法得到很好的消除、抑制,将会严重影响到带隙基准的稳定性和精确性,甚至可能导致带隙基准电路功能的丧失。
发明内容
为解决现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种低功耗、高PSRR的带隙基准电路。
为了实现上述目标,本发明采用如下的技术方案:
一种低功耗高PSRR的带隙基准电路,其特征在于,由无运放带隙核心电路、启动电路和负反馈控制环路组成,其中,
无运放带隙核心电路:用于实现电路核心功能,产生所需的带隙基准参考电压;
启动电路:用于完成带隙基准电路的启动,使带隙基准电路进入正常工作状态;
负反馈控制环路:用于控制、提高带隙基准电路的稳定性,消除运放的使用,减小功耗及芯片面积;
整个电路的工作过程是:电路上电,启动电路首先开始工作,开启无运放带隙核心电路,带隙基准电路产生参考电压,同时,负反馈控制环路抑制非理想因素对电路的恶性影响。
前述的低功耗高PSRR的带隙基准电路,其特征在于,前述无运放带隙核心电路主要由晶体管Q3、晶体管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6组成,前述晶体管为NPN型双极晶体管,前述电阻R6的阻值远远大于电阻R4及电阻R5,其中,
晶体管Q3的发射极与地相连,晶体管Q3的基极与电阻R2的一端、电阻R4的一端相连,晶体管Q3的集电极与电阻R4的另一端、电阻R6的一端相连;
晶体管Q4的发射极与电阻R5的一端相连,电阻R5的另一端与地相连,晶体管Q4的基极与电阻R6的另一端相连,晶体管Q4的集电极与电阻R3的一端相连,电阻R3的另一端与电阻R2的另一端相连,二者的连接节点与电阻R1的一端相连;
其中,晶体管Q3的基极为无运放带隙核心电路的第一钳位匹配端,其与负反馈控制环路的第一反馈检测输入端相连;晶体管Q4的集电极为无运放带隙核心电路的第二钳位匹配端,其与负反馈控制环路的第二反馈检测输入端相连;电阻R1的另一端为无运放带隙核心电路的输出端,其与带隙基准输出电压Vref相连。
前述的低功耗高PSRR的带隙基准电路,其特征在于,前述启动电路主要由晶体管MP4、晶体管MP5、晶体管Q5、晶体管Q6、电阻R7、电阻R8和电阻R9组成,前述晶体管MP4、晶体管MP5为PMOS晶体管,前述晶体管Q5、晶体管Q6为NPN型双极晶体管,其中,
晶体管MP4的栅端与晶体管MP5的漏端、晶体管Q6的集电极相连,晶体管MP4的源端与电源电压相连,晶体管MP4的漏端与电阻R7的一端相连,电阻R7的另一端为启动电路的输出端,其与负反馈控制环路的启动输入端相连;
晶体管MP5的源端与电源电压相连,晶体管MP5的漏端与晶体管Q6的集电极相连,晶体管MP5的栅端为启动电路的开关端口,其与负反馈控制环路中晶体管MP2的栅端相连;
晶体管Q6的基极与晶体管Q5的集电极相连,晶体管Q6的发射极与地相连;
晶体管Q5的基极与电阻R8的一端、电阻R9的一端相连,晶体管Q5的集电极与电阻R8的另一端相连,晶体管Q5的发射极与地相连,电阻R9的另一端接电源电压。
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