[发明专利]多晶硅生产工艺的尾气处理系统及处理方法

说明书

技术领域

本发明属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产工艺的尾气处理系统及处理方法。

背景技术

在多晶硅生产过程中，由于正常生产、检维修系统置换等生产需要，各个工序(包括氯硅烷提纯、还原尾气干法回收、还原尾气还原、氯硅烷存储)都需排放一定量的尾气，这些尾气中含有氯硅烷气体、氢气、氮气、氯化氢等，需经过处理后方能排放。

目前传统的处理工艺是将各工序排放尾气汇总后进入尾气淋洗装置，用水或碱液将尾气中的氯化氢、氯硅烷等淋洗、水解、中和后，氢气和氮气直接放空。然而使用此方法处理尾气，淋洗装置因为随着尾气量的大小、进气压力波动，易造成进气管道被氯硅烷水解物堵塞，带来大量的管道清理维护工作，增加劳动成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种多晶硅生产工艺的尾气处理系统及处理方法，该系统加快了尾气在淋洗装置的进气管道的流动速度，避免了在淋洗装置的进气管道的滞留，从而杜绝了在淋洗装置的进气管道产生水解物而堵塞进气管道，提高了尾气处理系统的使用效率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种多晶硅生产工艺的尾气处理系统，包括：

尾气缓冲罐，用于收集并缓存多晶硅生产工艺的尾气；

第一水力喷射器，与所述尾气缓冲罐连接，所述第一水力喷射器用于对尾气进行喷射加速；

淋洗装置，与所述第一水力喷射器连接，所述淋洗装置用于通过淋洗除去经过喷射加速后的尾气中的氯硅烷、氯化氢。

多晶硅生产工艺的尾气包括氮气、氢气、氯化氢和气态的氯硅烷，所述氯硅烷包括：四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅及其他硅烷类。

优选的是，所述淋洗装置包括：

一级淋洗塔，与所述第一水力喷射器连接，所述一级淋洗塔用于使用酸性或中性的水溶液进行一级淋洗；

二级淋洗塔，与所述一级淋洗塔连接，所述二级淋洗塔用于使用第一碱液进行二级淋洗。

优选的是，所述的多晶硅生产工艺的尾气处理系统，还包括：

第二水力喷射器，分别与所述一级淋洗塔、所述二级淋洗塔连接，所述第二水力喷射器用于对由所述一级淋洗塔流入到所述二级淋洗塔的尾气进行喷射加速。

优选的是，所述的多晶硅生产工艺的尾气处理系统，还包括：

水封罐，与所述淋洗装置连接，尾气经过所述水封罐后放空，所述水封罐用于防止气体倒吸。

本发明还提供一种多晶硅生产工艺的尾气处理方法，包括以下步骤：

1)使用第一水力喷射器对淋洗前的尾气进行喷射加速；

2)通过淋洗除去经过喷射加速后的尾气中的氯硅烷、氯化氢。

优选的是，所述第一水力喷射器所用的动力源的压力为0.1～0.5Mpa。

优选的是，所述第一水力喷射器所用的动力源为水。

优选的是，所述第一水力喷射器所用的动力源为工业用水。

优选的是，所述工业用水的pH值为4～7。

优选的是，所述步骤2)淋洗具体的包括：

步骤21)首先，使用酸性或中性的水溶液对尾气进行一级淋洗；优选的是，一级淋洗所用的水溶液的pH值为4～7。

步骤22)再使用第一碱液对尾气进行二级淋洗。

优选的是，所述步骤22)中所述第一碱液的浓度为15～20wt％。

优选的是，所述步骤21)和步骤22)之间还包括步骤2i)对进行二级淋洗前的尾气使用第二水力喷射器进行喷射加速。

优选的是，所述第二水力喷射器所用动力源的压力为0.1～0.5Mpa。

优选的是，所述第二水力喷射器所用动力源为第二碱液。

优选的是，所述第二碱液的浓度为15～20wt％。

本发明中将多晶硅生产尾气通过尾气缓冲罐缓冲后，然后通过第一水力喷射器喷射加速，在第一水力喷射器内尾气与高速流动的水进行了喷淋水解处理，可将尾气中的大部分氯硅烷进行水解，得到的尾气中含有氮气、氢气、氯化氢以及未淋洗的氯硅烷的不凝气，尾气再快速进入淋洗装置，加快了尾气在淋洗装置的进气管道的流动速度，避免了在淋洗装置的进气管道的滞留，从而杜绝了在淋洗装置的进气管道产生水解物而堵塞进气管道，提高了尾气处理系统的使用效率，降低了尾气处理系统的管道维护成本，提高了尾气处理效率。

附图说明

图1是本发明实施例2中的多晶硅生产工艺的尾气处理系统的结构示意图。