[发明专利]多晶硅生产工艺的尾气处理系统及处理方法

权利要求书

1.一种多晶硅生产工艺的尾气处理系统，其特征在于，包括：

尾气缓冲罐，用于收集并缓存多晶硅生产工艺的尾气；

第一水力喷射器，与所述尾气缓冲罐连接，所述第一水力喷射器用于对尾气进行喷射加速；

淋洗装置，与所述第一水力喷射器连接，所述淋洗装置用于通过淋洗除去经过喷射加速后的尾气中的氯硅烷、氯化氢。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产工艺的尾气处理系统，其特征在于，所述淋洗装置包括：

一级淋洗塔，与所述第一水力喷射器连接，所述一级淋洗塔用于使用酸性或中性的水溶液进行一级淋洗；

二级淋洗塔，与所述一级淋洗塔连接，所述二级淋洗塔用于使用第一碱液进行二级淋洗。

3.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺的尾气处理系统，其特征在于，还包括：

第二水力喷射器，分别与所述一级淋洗塔、所述二级淋洗塔连接，所述第二水力喷射器用于对由所述一级淋洗塔流入到所述二级淋洗塔的尾气进行喷射加速。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的多晶硅生产工艺的尾气处理系统，其特征在于，还包括：

水封罐，与所述淋洗装置连接，尾气经过所述水封罐后放空，所述水封罐用于防止气体倒吸。

5.一种多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)使用第一水力喷射器对淋洗前的尾气进行喷射加速；

2)通过淋洗除去经过喷射加速后的尾气中的氯硅烷、氯化氢。

6.根据权利要求5所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述第一水力喷射器所用的动力源的压力为0.1～0.5Mpa。

7.根据权利要求5所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述第一水力喷射器所用的动力源为水。

8.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述第一水力喷射器所用的动力源为工业用水。

9.根据权利要求5所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述步骤2)淋洗具体的包括：

步骤21)首先，使用酸性或中性的水溶液对尾气进行一级淋洗；

步骤22)再使用第一碱液对尾气进行二级淋洗。

10.根据权利要求9所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述步骤22)中所述第一碱液的浓度为15～20wt％。

11.根据权利要求9所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述步骤21)和步骤22)之间还包括步骤2i)对进行二级淋洗前的尾气使用第二水力喷射器进行喷射加速。

12.根据权利要求11所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述第二水力喷射器所用动力源的压力为0.1～0.5Mpa。

13.根据权利要求11所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述第二水力喷射器所用动力源为第二碱液。

14.根据权利要求13所述的多晶硅生产工艺的尾气处理方法，其特征在于，所述第二碱液的浓度为15～20wt％。