[发明专利]一种基于多晶面Ir‑Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法有效
| 申请号: | 201610363130.0 | 申请日: | 2016-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN106024966B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
| 发明(设计)人: | 阮圣平;徐睿良;郭文滨;沈亮;董玮;温善鹏;周敬然;刘彩霞;陈川;孙亮 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人: | 刘世纯,王恩远 |
| 地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 多晶 ir pd 纳米 粒子 体系 掺杂 tio sub 薄膜 紫外 探测器 及其 | ||
技术领域
本发明属于半导体紫外光电探测技术领域,具体涉及一种基于多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及其制备方法。
背景技术
随着人们对大量信息处理传输需求的不断提升,以及对光电子信息技术与光电子集成电路的不断研究,紫外光的研究再一次激发了人们的兴趣。在无机宽禁带半导体材料广泛使用以前,紫外探测多采用光电倍增管或硅基光电二极管器件,而这些器件具有价格昂贵、工作电压高、体积大、需要滤光设备等明显缺点。而如今在制作紫外探测器的无机材料中,TiO2具有价格低廉、良好的物理和化学稳定性、良好的光电特性等优点。但通过实验研究,人们发现用TiO2这种单一材料制作的紫外探测器件性能仍存在许多不足,比如光响应度偏低。于是,人们开始关注复合材料在紫外探测器制备中的实际应用。
以往人们常用单种金属纳米粒子进行掺杂。这种方法在提高器件性能方会有一定的效果,但并不足够显著。
发明内容
本发明目的是提供一种基于多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器及该探测器的制备方法:以石英片作为衬底,采用溶胶凝胶的成膜方法,以Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜作为感光层制备紫外光探测器。此方法简单易行,器件性能优良。
为实现上述目的,本发明提供了一种基于多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器,其特征在于:按紫外光线入射方向,从下至上依次为:石英片衬底、多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜、通过磁控溅射方法制备的Au叉指电极。
其中,石英片衬底厚度为0.5~1.5mm,多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的厚度为80~110nm;在该薄膜中,Ti与Ir的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ti与Pd的摩尔比为1:0.0005~0.002,Ir-Pd纳米粒子体系中的Ir纳米粒子和Pd纳米粒子均为多晶面结构;Au叉指电极的厚度为100~150nm,Au叉指电极的指长度、指间距、指宽度分别为0.8~1.2mm、5~30μm、5~30μm。
本发明所述的一种多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜紫外探测器的制备方法,其步骤如下:
(1)衬底的清洁处理
将石英片衬底依次置于丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗10~15分钟,然后氮气吹干。
(2)多晶面Ir纳米粒子制备
在氮气保护下,将0.25~0.35mmol三氯化铱和1~3mmol醋酸钠加入到70~80mL丙二醇中,于150~180℃的油浴条件下剧烈搅拌回流1~2小时;冷却后,向混合溶液中加入40~60mL甲苯及40~60mL、0.5~1.5mmol/L的PVP(聚乙烯吡咯烷酮)溶液作为反应的表面活性剂,在60~100℃水浴、100~150W超声条件下搅拌0.5~1.5小时;水浴超声搅拌结束后收集甲苯层,加压旋干;产物依次用甲醇、去离子水离心清洗3~5次,干燥后得到多晶面的Ir纳米粒子;
(3)多晶面Pd纳米粒子制备
在氮气的保护下,将20~30mL、0.8~1.2mmol/L的PdCl2溶液加入到40~60mL、0.5~1.5mmol/L的作为反应的表面活性剂的PVP溶液中,常温下搅拌30~50min后,再向混合溶液中快速注射5~15mL、10~20mmol/L的NaBH4溶液,注射时间控制在5s以内;在80~90℃水浴条件下继续搅拌1~3h后,得到含有Pd纳米粒子的溶液;最后依次用氯仿、乙醇溶液循环离心清洗2~4次,干燥后得到多晶面的Pd纳米粒子;
(4)多晶面Ir-Pd纳米粒子体系掺杂的TiO2薄膜的制备
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





