[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法，该阵列基板包括：第一遮光绝缘层形成在基板上，用于遮住进入基板的部分光线，其包括第一区域和第二区域，均为绝缘材料；第一功能层形成在第一遮光绝缘层的第二区域上，在第一遮光绝缘层的第二区域的遮光作用下避免受到光线的影响；第二功能层形成在第一遮光绝缘层的第一区域和第一功能层上，在第一遮光绝缘层的遮光作用下避免受到光线的影响；第三功能层形成在第二功能层上，在第一遮光绝缘层的遮光作用下避免受到光线的影响；第一功能层、第二功能层以及第三功能层为导体或半导体材料。通过上述方式，本发明能够使各个功能层不被照光，进而避免产生光漏电的问题。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管-液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简写TFT-LCD)面板的生产，目前主流的技术是使用5道光罩，即5mask制程。为了提高产能，降低成本，目前正向着降低光罩数目方向发展。

现在，有很多产品使用4道光罩，即4mask制程。4mask制程普遍的做法是将5mask中的硅岛层(a-Si，简写AS)和数据电极层(Source Electrode，简写SE)合为一道光罩，该光罩采用灰阶掩膜技术(Gray Tone Mask，简写GTM)或者半灰阶掩膜技术(Half Tone Mask，简写HTM)进行制作。5mask制程时，仅在沟道处有a-Si，对于4mask制程，由于AS层和SE层为同一道光罩制作，于是SE层所有金属线下面全部都有半导体a-Si，包括贯穿整个面板的数据线(data line)。在面板点亮时，背光从面板下方照射，数据线下方的a-Si被背光照射到，于是产生光漏电流，使得TFT的性能受到一定程度的恶化，面板出现串扰(crosstalk)以及可能因光漏电引起的影象残留(Image Sticking，简写IS)等其他问题。

为了解决数据线下方a-Si被光照到的问题，可以在数据线和a-Si下方做一层遮光层。现有技术中，一种方案是在制作栅极电极(Gate Electrode，简写GE)所使用的mask时，将需要遮光的部分制作在GE mask上面，这样在制作扫描线同时，采用栅极金属制作一层遮光层。该方案不增加光罩成本和曝光成本。

但是，由于遮光层为金属，与数据线会形成电容，对数据线的数据传输有一定的影响。若使用非金属制作遮光层，则需要增加一道光罩，使价格成本和生产时间成本上升。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法，能够使数据线下方a-Si不被照光，进而避免产生光漏电的问题，同时不增加光罩数目，不影响产能。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：

基板；

第一遮光绝缘层，形成在所述基板上，用于遮住进入所述基板的部分光线，其包括：间隔设置的第一区域和第二区域，均为绝缘材料；

第一功能层，形成在所述第一遮光绝缘层的所述第二区域上，用于实现第一功能，且在所述第一遮光绝缘层的所述第二区域的遮光作用下，避免受到光线的影响；

第二功能层，形成在所述第一遮光绝缘层的所述第一区域和所述第一功能层上，用于实现第二功能，且在所述第一遮光绝缘层的遮光作用下，避免受到光线的影响；

第三功能层，形成在所述第二功能层上，用于实现第三功能，且在所述第一遮光绝缘层的遮光作用下，避免受到光线的影响；

其中，所述第一功能层、第二功能层以及第三功能层为导体或半导体材料。