[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上依次形成第一遮光绝缘层、第一功能层；

利用第一光罩一次性对所述第一遮光绝缘层、第一功能层进行曝光显影，分别得到第一遮光绝缘图案、第一功能图案，所述第一遮光绝缘图案包括镂空区和遮光区，所述遮光区包括第一区域和第二区域，所述第一功能图案包括镂空区与功能区，所述第一功能图案的镂空区与所述第一遮光绝缘图案的镂空区和第一区域对应，所述第一功能图案的功能区与所述第一遮光绝缘图案的第二区域对应；

在所述第一遮光绝缘图案、第一功能图案之上依次形成第二功能层、第三功能层；

利用第二光罩一次性对所述第二功能层、第三功能层进行曝光显影，分别得到第二功能图案、第三功能图案，所述第二、三功能图案均包括镂空区与功能区，所述第二功能图案的功能区与所述第三功能图案的功能区、第一遮光绝缘图案的第一区域对应；

所述利用第一光罩一次性对所述第一遮光绝缘层、第一功能层进行曝光显影，分别得到第一遮光绝缘图案、第一功能图案的步骤，包括：

在所述第一功能层上涂布一层光刻胶；

利用所述第一光罩对涂布所述光刻胶后的所述基板进行第一次曝光处理，其中，所述第一光罩包括：全透光区域、部分透光区域以及不透光区域，所述全透光区域对应所述第一遮光绝缘图案的镂空区，所述部分透光区域对应所述第一遮光绝缘图案的第一区域，所述不透光区域对应所述第一遮光绝缘图案的第二区域；

分别采用显影技术和刻蚀技术对第一次曝光处理后的所述基板进行处理，从而分别得到所述第一遮光绝缘图案、第一功能图案；

所述分别采用显影技术和蚀刻技术对第一次曝光处理后的所述基板进行处理的步骤，包括：

对第一次曝光处理后的所述基板进行第一次显影处理，以全部溶解掉所述全透光区域对应的所有光刻胶，部分溶解掉所述部分透光区域对应的部分光刻胶；

对第一次显影处理后的所述基板进行第一次刻蚀处理，以去掉没有被所述光刻胶覆盖的第一功能层；

对第一次刻蚀处理后的所述基板进行第二次刻蚀处理，以将覆盖在所述第一功能层上的全部光刻胶去掉一部分，将覆盖在所述第一功能层上的部分光刻胶全部去掉；

对第二次刻蚀处理后的所述基板进行第三次刻蚀处理，以将没有被光刻胶覆盖的所述第一功能层全部去掉；

对第三次刻蚀处理后的所述基板进行第二次曝光处理；

对第二次曝光处理后的所述基板进行第二次显影处理，以全部溶解掉所述第一功能层上覆盖的部分光刻胶；

其中，所述第一功能层最后制作为栅极层的栅极电极、所述第二功能层最后制作为硅岛层的a-Si、所述第三功能层最后制作分别为源极漏极层源极和漏极以及数据线层的数据线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一遮光绝缘层的材料为黑矩阵。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次刻蚀处理为湿刻蚀处理，所述第二次刻蚀处理为干刻蚀处理，所述第三次刻蚀处理为湿刻蚀处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第一光罩对涂布所述光刻胶后的所述基板进行第一次曝光处理的步骤，包括：采用灰色调光罩技术或半灰色调光罩技术，利用所述第一光罩对涂布所述光刻胶后的所述基板进行第一次曝光处理。