[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法。该薄膜晶体管包括：栅极绝缘层；具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域的有源层；在所述源极区域上的第一掺杂层；在所述漏极区域上的第二掺杂层；设置在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触、不同时与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层接触，或者所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触。

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法以及显示装置及其制造方法。

背景技术

对于薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)，其沟道的宽度与长度的比值(W/L)越大，开态电流Ion则越大。然而，受到现有技术中采用的阵列(Array)工艺曝光设备精度的限制，薄膜晶体管的沟道长度L难以进一步缩短。随之高端产品的像素密度(Pixels PerInch，PPI)越来越高，像素充电时间越来越少。为了满足产品的充电率需求，不得不将薄膜晶体管的宽度不断增加，严重影响了像素开口率(Aperture Ratio，AR)，使得液晶显示屏功耗显著上升。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法以及显示装置及其制造方法，能够解决现有技术中的无法进一步降低沟道长度的问题。

本发明的一个目的在于提供一种薄膜晶体管。

本发明的第一方面提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极绝缘层；有源层，所述有源层具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；在所述源极区域上的第一掺杂层；在所述漏极区域上的第二掺杂层，其中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，

所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触，且所述第三掺杂层不同时与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层接触，或者

所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触。

在一种实施方式中，所述薄膜晶体管进一步包括：设置在所述第一掺杂层上的源极电极；设置在所述第二掺杂层上的漏极电极，

并且其中，所述栅极绝缘层位于与所述有源层的形成有所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的一侧相反的一侧，且位于所述有源层和衬底之间。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管进一步包括：设置在所述第一掺杂层上的源极电极；设置在所述第二掺杂层上的漏极电极，

并且其中，所述栅极绝缘层位于与所述有源层的形成有所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的一侧相同的一侧，有源层位于所述栅极绝缘层和衬底之间。

在一个实施例中，所述有源层包括非晶硅。

在一个实施例中，所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的所述导电类型为N型。

本发明的另一个目的在于提供一种阵列基板。

本发明的第二方面提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括上述的薄膜晶体管。

本发明的又一个目的在于提供一种显示面板。

本发明的第三方面提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

本发明的再一个目的在于提供一种显示装置。