[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板以及显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：栅极绝缘层；有源层，所述有源层具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；在所述源极区域上的第一掺杂层；在所述漏极区域上的第二掺杂层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间的至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，

所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触，且所述第三掺杂层与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均不接触，或者

所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：设置在所述第一掺杂层上的源极电极；设置在所述第二掺杂层上的漏极电极，

并且其中，所述栅极绝缘层位于与所述有源层的形成有所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的一侧相反的一侧，且位于所述有源层和衬底之间。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：设置在所述第一掺杂层上的源极电极；设置在所述第二掺杂层上的漏极电极，

并且其中，所述栅极绝缘层位于与所述有源层的形成有所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的一侧相同的一侧，有源层位于所述栅极绝缘层和衬底之间。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层包括非晶硅。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层的所述导电类型为N型。

6.一种阵列基板，包括根据权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，包括根据权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示装置，包括根据权利要求7所述的显示面板。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层，所述有源层具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域；形成在所述源极区域上的第一掺杂层和在所述漏极区域上的第二掺杂层，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述第一掺杂层和所述第二掺杂层之间形成至少一个第三掺杂层，其中所述第一掺杂层、所述第二掺杂层和所述第三掺杂层具有相同的导电类型，并且其中，

所述第三掺杂层位于所述沟道区域中且与栅极绝缘层接触，且所述第三掺杂层与所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均不接触，或者

所述第三掺杂层位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触。

10.根据权利要求9所述的制造方法，进一步包括：在衬底上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成所述栅极绝缘层；

其中，形成有源层包括：在形成所述栅极绝缘层之后在所述栅极绝缘层上形成有源层；

形成所述第三掺杂层包括：采用离子注入法，在所述沟道区域中形成位于所述沟道区域中且与所述栅极绝缘层接触的所述第三掺杂层。

11.根据权利要求9所述的制造方法，进一步包括：在衬底上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成所述栅极绝缘层；以及，在所述第一掺杂层上形成源极电极和在所述第二掺杂层上形成漏极电极，

其中，形成有源层包括：在形成所述栅极绝缘层之后，在所述栅极绝缘层上形成有源层；

形成所述第三掺杂层包括：在形成所述源极电极和所述漏极电极之后，在所述沟道区域的暴露表面上形成覆盖层；对所述覆盖层构图，以形成位于所述沟道区域上且仅与所述第一掺杂层或所述第二掺杂层接触的所述第三掺杂层。