[发明专利]SRAM读辅助电路及SRAM

权利要求书

1.一种SRAM读辅助电路，用于SRAM，所述SRAM包括配对的位线和参考位线，其特征在于，所述SRAM读辅助电路包括：

预充电单元，一端耦接所述位线，另一端耦接所述参考位线，适于将所述位线和所述参考位线其中之一预充电至电源电压，另一个预充电至地电压；

选择单元，适于选择性地连通配对的所述位线和所述参考位线，以使得配对的所述位线和所述参考位线之间进行电荷分享，所述位线和参考位线分别耦接负载电容，所述配对的位线和参考位线耦接相同数量的存储单元；

其中，与所述位线耦接的负载电容，和与所述参考位线耦接的负载电容，二者的比值不变；基于与所述位线耦接的负载电容，和与所述参考位线耦接的负载电容，二者的比值，得到所述位线电压的变化幅度。

2.根据权利要求1所述的SRAM读辅助电路，其特征在于，所述预充电单元包括：

第一预充电单元，适于对所述位线进行预充电，将所述位线的电位预充电至电源电压和地电压中的一个；

第二预充电单元，适于对所述参考位线进行预充电，将所述参考位线的电位预充电至电源电压和地电压中的另一个。

3.根据权利要求2所述的SRAM读辅助电路，其特征在于，所述第一预充电单元包括第一PMOS管，所述第二预充电单元包括第一NMOS管；

所述第一PMOS管的源极耦接电源电压，所述第一PMOS管的漏极耦接所述位线，所述第一PMOS管的栅极接入第一控制信号；所述第一NMOS管的源极耦接接地电压，所述第一NMOS管的漏极耦接所述参考位线，所述第一NMOS管的栅极接入第二控制信号。

4.根据权利要求3所述的SRAM读辅助电路，其特征在于，所述第一控制信号和所述第二控制信号的电位相反。

5.根据权利要求2所述的SRAM读辅助电路，其特征在于，所述选择单元包括：第二PMOS管和第二NMOS管；其中，

所述第二PMOS管的源极耦接所述参考位线，所述第二PMOS管的漏极耦接所述位线，所述第二PMOS管的栅极接入第三控制信号；所述第二NMOS管的源极耦接所述位线，所述第二NMOS管的漏极耦接所述参考位线，所述第二NMOS管的栅极接入第四控制信号。

6.根据权利要求5所述的SRAM读辅助电路，其特征在于，所述第三控制信号和所述第四控制信号的电位相反。

7.根据权利要求1所述的SRAM读辅助电路，其特征在于，所述SRAM读辅助电路配置成具备两种工作状态，包括预充电工作状态和电荷分享工作状态；在所述预充电工作状态下，所述预充电单元对所述位线和所述参考位线其中之一预充电至电源电压，另一个预充电至地电压；在所述预充电工作状态之后的所述电荷分享工作状态下，所述选择单元连通所述位线和所述参考位线，所述位线和所述参考位线之间进行电荷分享。

8.一种SRAM，包括配对的位线和参考位线，其特征在于，还包括如权利要求1至7任一项所述的SRAM读辅助电路。