[发明专利]一种低温下制备钽表面钨功能涂层的方法

权利要求书

1.一种低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，将基体表面抛光处理，所述基体包括钽、钽合金或其组合；

S2，将抛光后的基体埋入包埋渗剂中反应，其中包埋温度为240-280℃，保温时间为1-8h，所述包埋渗剂包括均匀分散的WCl₆粉、活化剂和Al₂O₃粉，且所述包埋渗剂中WCl₆粉的比例为30-50wt.％；所述活化剂的比例为10-15wt.％，所述Al₂O₃粉的比例为35-60wt.％；

S3，保温结束后，清洗包埋后的基体并真空干燥。

2.根据权利要求1所述的低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于：所述活化剂包括NaF粉、NH4Cl粉或其混合物。

3.根据权利要求1所述的低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于：所述将基体表面抛光处理的步骤包括：

S11，将所述基体加热升温到一定温度，将抛光蜡均匀涂抹在基体上；

S12，放置一段时间，使用脱脂棉处理基体；以及

S13，将基体放入抛光机中进行抛光，其中，抛光过程中使用碱性抛光液，时间为5-15min。

4.根据权利要求3所述的低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于：在步骤S13之后，进一步包括步骤S14，将抛光后的基体放入无水乙醇中进行超声波处理时间为5-30min。

5.根据权利要求1所述的低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于：所述包埋渗剂中WCl₆粉的比例为35-45wt.％，所述活化剂的比例为12-15wt.％，所述Al₂O₃粉的比例为40-53wt.％。

6.根据权利要求1所述的低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于：所述清洗包埋后的基体并真空干燥的步骤包括：

S31，先用超声波将所述包埋后的基体清洗干净，其中，超声波处理时间为5～20min；以及

S32，在90-100℃温度下，真空干燥。

7.根据权利要求1所述的低温下制备钽表面钨功能涂层的方法，其特征在于：所述包埋温度为260-280℃。

8.根据权利要求1-7任一项方法获得的钽或钽合金复合金属材料，其特征在于：包括基体以及包覆在所述基体表面的钨功能涂层，所述基体为钽或钽合金，所述钨功能涂层中含钨量为1.5-18wt.％。

9.根据权利要求8所述的钽或钽合金复合金属材料，其特征在于：制得的钨功能涂层的厚度为3-7mm。