[发明专利]一种具有新型电子阻挡层的近紫外LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201610260713.0 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105932130B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇;殷淑仪;张国义 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523518 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 近紫外LED 空穴 发光效率 新型电子 阻挡层 制备 超晶格电子阻挡层 多量子阱有源层 电子空穴复合 空穴注入效率 图形化蓝宝石 超晶格结构 超晶格周期 电子阻挡层 外延片结构 厚度阶梯 浓度阶梯 浓度增加 非掺杂 接触层 扩展层 衬底 减小 掺杂 | ||
【说明书】：
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