[发明专利]晶圆键合后分离的方法

说明书

本发明提供一种晶圆键合后分离的方法，它包括以下步骤：步骤一、将键合后的晶圆的载片面朝上放置，然后利用工具破坏载片；步骤二、将破坏后的载片取走，剩下带有隔离膜和键合胶的晶圆；步骤三、撕掉隔离膜，剩下键合胶和晶圆，然后清洗键合胶，完成晶圆的分离。采用上述方法，虽然破坏了载片，但是载片的成本要低很多，在可接受范围之内，而且分离的装置会非常简单，装置的成本会大大降低，而且不需要对准，那么花费的时间也会降低很多，提高了生产效率。

技术领域：

本发明涉及微电子技术领域，具体讲是一种晶圆键合后分离的方法。

背景技术：

随着人们对电子产品的要求朝着小型化的方向发展，电子芯片也朝向越来越薄的方向发展，但是以硅作为材料的晶圆的厚度如果要减薄至100微米或以下时，非常容易发生碎片、或者是在对晶圆做处理时由于应力导致晶圆弯曲变形等，无法对这种超薄晶圆进行直接加工处理。因此，为了能加工处理这类超薄晶圆，需要将这种超薄的晶圆首先与一载片临时键合，键合之后，晶圆与载片粘节为一体，就可以对晶圆进行减薄、TSV的制造、再布线层的制造、形成内部互连等工艺制作。然后再将晶圆与载片进行分离，并对减薄后的晶圆进行清洗、切割等工艺，完成对这种超薄的晶圆的加工工艺。

目前，公开号为CN104485294A的专利申请公开了一种晶圆键合方法，这种方法是在载片上做表面处理，形成一层隔离膜，隔离膜与载片之间的粘接度适中，在不故意去撕的情况下，薄膜不会从载片上脱离，但是当施力撕扯时，可将薄膜从载片上剥离，然后键合时将带有隔离膜的载片的正面与晶圆之间涂覆键合胶，将晶圆和载片键合在一起，分离时先在键合后晶圆的侧面的隔离膜和载片之间分出一定的缝隙，然后采用真空吸盘吸附在载片背面，施力将载片从隔离膜上剥离。采用这种分离方法虽然比现有技术方便，但是仍然需要通过吸盘施力将载片从隔离膜上剥离，操作还是麻烦，而且如果要适用于工业化生产还需要机械手，结构复杂，成本较高。

为此，公开号为CN104979262A的专利申请又提出了一种晶圆键合后分离的方法，它采用气流发生装置制造出朝向晶圆和载片键合的结合处的气流，通过气流使晶圆和载片分离。采用这种方式，需要将气嘴对准晶圆和载片的结合处，而且为了使晶圆和载片更容易分离，一般还会在晶圆和载片的结合处的隔离膜制造出一个缝隙，然后通过气流对着缝隙吹气，使得晶圆和载片更容易分离，采用这种结构，需要一气流发生装置，仍然会比较复杂，而且如果要制造缝隙或者使气嘴对准晶圆和载片的结合处需要比较精密的对准设备，成本仍然比较高。

发明内容：

本发明解决的技术问题是，克服现有的技术缺陷，提供一种采用设备简单、分离简单而且成本较低的晶圆键合后分离的方法。

本发明提供的技术方案是：本发明提供一种晶圆键合后分离的方法，它包括以下步骤：

步骤一、将键合后的晶圆的载片面朝上放置，然后利用工具破坏载片；

步骤二、将破坏后的载片取走，剩下带有隔离膜和键合胶的晶圆；

步骤三、撕掉隔离膜，剩下键合胶和晶圆，然后清洗键合胶，完成晶圆的分离。

采用上述方法后，利用破坏载片的方式来分离载片和晶圆，采用这种方式，需要破坏载片，由于载片与隔离膜之间的粘合力较弱，然后将破坏后的载片从晶圆上拿走，拿走之后，就可以直接将隔离膜从晶圆上撕下来，就剩下键合胶和晶圆了，此时清洗键合胶时，一般浸泡的方式清洗键合胶，由于键合胶的一面暴露，因此键合胶与清洗液可以充分接触，清洗效率比现有技术要高很多。采用上述方法，虽然破坏了载片，但是载片的成本要低很多，在可接受范围之内，而且分离的装置会非常简单，装置的成本会大大降低，而且不需要对准，那么花费的时间也会降低很多，提高了生产效率。