[发明专利]一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路。

背景技术

任何电子产品都需要供电，在信息化产业告诉发展到今天，便携式产品越来越多,如手机、平板电脑，可穿戴设备等对电源的稳定性要求越来越高。电源的稳定性直接影响到产品的性能好坏。随着射频集成电路中集成的元件不断增多，噪声耦合源也日益增多，当电源电压受到干扰出现波动时希望输出电压保持稳定，这就要求为其提供电压基准的带隙基准电压具有高电源抑制比。提高电源抑制比主要方案有提高敏感节点到电源电压的阻抗，如使用共源共栅结构，使用负反馈结构。本方案是基于预稳压结构先去除电源中部分噪声，将得到的具有一定电源抑制比的电压作为基准电压的输入来提高带隙基准的电源抑制比。共源共栅结构可以提高带隙基准的电源抑制比，但其提高能力是有限的。

发明内容

为了解决现有技术存在的不足，本发明的目的是提供一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路。

为实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：

一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路，包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块，所述启动电路与PTAT电流电路电连接，所述PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1；所述带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15；其中，晶体管Q1,PMOS管M5,PMOS管M6,PMOS管M7,PMOS管M8,PMOS管M9,PMOS管M11,PMOS管M12,NMOS管M13，NMOS管M14,NMOS管M15组成负反馈环路，而晶体管Q2,电阻R1，PMOS管M6,PMOS管M8,PMOS管M9,PMOS管M11,PMOS管M12,NMOS管M13,NMOS管M14，NMOS管M15组成正反馈环路，所述NMOS管M10的源极与NMOS管M10的源极连接。

进一步地，所述启动电路，包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4和电容C1，NMOS管M4的栅极接VREF，当电路刚上电的瞬间，VREF为低电平，NMOS管M4截止，PMOS管M1,PMOS管M2组成的有源电阻对电容C1开始充电，当电压达到NMOS管M3的阈值电压时候，NMOS管M3开启，将NMOS管M3的漏端电位拉低，使所述带隙基准电压产生模块中的PMOS管M11导通，当电路正常工作时候，所述带隙基准电压产生模块输出一个电压，使NMOS管M4导通，电容C1通过NMOS管M4开始放电，当电压低于NMOS管M3阈值电压时，NMOS管M3截止，切断启动电路与PTAT电流电路之间的通道。

本发明的有益效果：

本方案通过预稳压技术先将电源电压的噪声波动去除一部分，然后将稳压过后的电压作为带隙基准的电源电压来提高电路的电源抑制比，在预稳压技术里通过采用负反馈的方法提高了VOUT到电源电压的阻抗，进一步提高电源抑制比。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：

图1是本发明提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路图。

具体实施方式

如图1所示，一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路，包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块，所述启动电路与PTAT电流电路电连接，所述PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1；所述带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15；其中，晶体管Q1,PMOS管M5,PMOS管M6,PMOS管M7,PMOS管M8,PMOS管M9,PMOS管M11,PMOS管M12,NMOS管M13，NMOS管M14,NMOS管M15组成负反馈环路，而晶体管Q2,电阻R1，PMOS管M6,PMOS管M8,PMOS管M9,PMOS管M11,PMOS管M12,NMOS管M13,NMOS管M14，NMOS管M15组成正反馈环路，所述NMOS管M10的源极与NMOS管M10的源极连接。