[发明专利]阵列基板及液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

随着科技的发展，液晶显示装置的应用越来越多。为了实现液晶显示装置较好的彩色 显示，现在的液晶显示装置在阵列基板上增加了一层彩膜，从而在阵列基板上就实现了RGB 三基色，避免了阵列基板和彩膜基板的对位操作，以便液晶显示装置更好的进行全彩显示。 上述技术被称为COA(ColorFilteronarray)技术。

参见图1，现有的COA阵列基板的结构如下，所述COA阵列基板包括基板衬底层101； 第一金属层102，设置在所述基板衬底层101上，用于形成扫描线以及薄膜场效应晶体管的 栅极区；栅极绝缘层103，设置在所述第一金属层上102上；半导体层104，设置在所述栅 极绝缘层103上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的沟道；第二金属层105，设置在所述半 导体层104上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的源极区、所述薄膜场效应晶体管的漏极 区以及数据线；第一钝化层106，设置在所述第二金属层105和所述栅极绝缘层103上；色 阻层107，设置在所述第一钝化层106上，用于形成彩色滤光片；第二钝化层108，设置在 所述色阻层107上；以及像素电极层109，设置在所述第二钝化层108上。

为实现像素电极层109与第二金属层105的电性连接，第一钝化层106、色阻层107及 第二钝化层108均需开孔，一般情况下，第一钝化层106制作开孔后，制作色阻层107，色 阻层107开孔后，再制作第二钝化层108，然后在制作第二钝化层108的开孔110，而由于 制程上的对位偏差，第一钝化层106和第二钝化层108的孔与色阻层107的孔并不能孔中 心完全重合，将影响第一钝化层106和第二钝化层108的重叠量。如图1中L1及L2所标 示，采用虚线标示出L1及L2的长度，其中L1及L2分别为在开孔110两侧第一钝化层106 和第二钝化层108的重叠量，所述第一钝化层106和第二钝化层108的孔相对于色阻层107 的开孔向右侧偏移，则L2小于L1，L2长度处，第一钝化层106和第二钝化层108重叠较 少。若两孔的偏移过大，所述第一钝化层106和第二钝化层108重叠较少的一端对色阻的 保护作用不佳，色阻内的气泡易渗出，造成在CF开孔(CFopen)处常有气泡(bubble)产 生，影响产品使用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种阵列基板及液晶显示面板，其能够避免在CF 开孔处产生气泡。

为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：一基板衬底层；一薄膜晶体 管，设置在所述基板衬底层上；

一第一钝化层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一钝化层具有一第一通孔，所述第 一通孔暴露出所述薄膜晶体管的漏极区；一色阻层，设置在所述第一钝化层上，用于形成 彩色滤光片，所述色阻层具有一第二通孔，所述第二通孔对应所述第一通孔，以暴露出所 述薄膜晶体管的漏极区；一像素电极层，设置在所述色阻层上，并通过所述第一通孔及第 二通孔与所述薄膜晶体管的漏极区电连接，用于形成像素电极；一第二钝化层，设置在所 述像素电极层上。

进一步，所述薄膜晶体管包括：一第一金属层，设置在所述基板衬底层上，用于形成 扫描线以及薄膜场效应晶体管的栅极区；一第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；一半 导体层，设置在所述第一绝缘层上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的沟道；一第二金属 层，设置在所述半导体层上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的源极区、所述薄膜场效应 晶体管的漏极区以及数据线。

进一步，所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔的孔径。

进一步，所述色阻层包括多个色阻，相邻的两个色阻之间形成所述第二通孔。

进一步，所述色阻层包括R色阻、G色阻及B色阻。