[发明专利]阵列基板及液晶显示面板在审
| 申请号： | 201610224791.5 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105652546A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邓竹明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 液晶显示 面板 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
一基板衬底层；
一薄膜晶体管，设置在所述基板衬底层上；
一第一钝化层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一钝化层具有一第一通孔，所述第一 通孔暴露出所述薄膜晶体管的漏极区；
一色阻层，设置在所述第一钝化层上，用于形成彩色滤光片，所述色阻层具有一第二通 孔，所述第二通孔对应所述第一通孔，以暴露出所述薄膜晶体管的漏极区；
一像素电极层，设置在所述色阻层上，并通过所述第一通孔及第二通孔与所述薄膜晶体 管的漏极区电连接，用于形成像素电极；
一第二钝化层，设置在所述像素电极层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
一第一金属层，设置在所述基板衬底层上，用于形成扫描线以及薄膜场效应晶体管的栅 极区；
一第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；
一半导体层，设置在所述第一绝缘层上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的沟道；
一第二金属层，设置在所述半导体层上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的源极区、所 述薄膜场效应晶体管的漏极区以及数据线。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔 的孔径。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层包括多个色阻，相邻的两个 色阻之间形成所述第二通孔。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层包括R色阻、G色阻及B 色阻。
6.一种液晶显示面板，包括一阵列基板及与所述阵列基板相对设置的玻璃基板，在所述阵 列基板与所述玻璃基板之间填充有液晶，其特征在于，所述阵列基板包括：一基板衬底 层；
一薄膜晶体管，设置在所述基板衬底层上；
一第一钝化层，设置在所述薄膜晶体管上，所述第一钝化层具有一第一通孔，所述第一 通孔暴露出所述薄膜晶体管的漏极区；
一色阻层，设置在所述第一钝化层上，用于形成彩色滤光片，所述色阻层具有一第二通 孔，所述第二通孔对应所述第一通孔，以暴露出所述薄膜晶体管的漏极区；
一像素电极层，设置在所述色阻层上，并通过所述第一通孔及第二通孔与所述薄膜晶体 管的漏极区电连接，用于形成像素电极；
一第二钝化层，设置在所述像素电极层上。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
一第一金属层，设置在所述基板衬底层上，用于形成扫描线以及薄膜场效应晶体管的栅 极区；
一第一绝缘层，设置在所述第一金属层上；
一半导体层，设置在所述第一绝缘层上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的沟道；
一第二金属层，设置在所述半导体层上，用于形成所述薄膜场效应晶体管的源极区、所 述薄膜场效应晶体管的漏极区以及数据线。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔的孔径大于所述第一通孔 的孔径。
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层包括多个色阻，相邻的两个 色阻之间形成所述第二通孔。
10.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层包括R色阻、G色阻及B 色阻。
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