[发明专利]柔性TFT驱动底发射OLED/PLED并列结构与制备

权利要求书

1.一种由柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，包括：柔性OLED/PLED器件，柔性驱动TFT晶体管器件，柔性透明电极衬底和金属电极。

2.根据权利要求1所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述驱动TFT晶体管的功能层是可以弯曲的有机/无机半导体薄膜。

3.根据权利要求2所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述有机/无机半导体薄膜可以通过旋涂，涂抹，喷涂，打印，卷对卷等溶液制膜方法制备。

4.根据权利要求1所述的柔性TFT驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述OLED/PLED器件可以通过热蒸法，旋涂，涂抹，打印，卷对卷等方法制备。

5.根据权利要求1所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述柔性透明电极衬底，选自透明导电氧化物（TCO）材料，锌铝，氧化铟氧化锌，氧化锡，氧化镓铟锡（GITO），柔性电极基板（ZITO），氧化镓铟（GIO），使用ZnInO（ZIO），AZO，FTO以及适合用于在有机/无机薄膜的其他TCO层。

6.根据权利要求1或5所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述柔性透明电极是可以弯曲及可刻蚀的TCO薄膜。

7.根据权利要求1所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述OLED/PLED和TFT晶体管器件并列放置，晶体管漏极与OLED/PLED电极连通。

8.根据权利要求1或7所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述TFT晶体管由栅极可连接外部数据线，TFT晶体管源极接地或其它元件，OLED/PLED另一电极接驱动电源或接地。

9.根据权利要求7所述的柔性TFT晶体管驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述柔性TFT晶体管为n型，采用铝，钙/银作为漏极和源极；柔性晶体管为p型，采用高功函数材料作为漏极和源极，再覆盖金属导电层，例如，金，铂。

10.根据权利要求1或7所述的柔性晶体管TFT驱动底发射OLED/PLED结构，其特征在于，所述OLED/PLED可以与多个并列放置的TFT晶体管和其他柔性电子元件连接。