[发明专利]用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法

权利要求书

1.用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在承载片上加工出比超薄硅片直径大80～150μm的三段等径同心圆弧槽，并开设三段溢流槽，溢流槽与圆弧槽相连；

2)采用旋涂的方法，把黏胶涂覆于圆弧槽底，用于圆弧槽定位和承载超薄硅片；

3)对整体硅片进行热压；

4)当超薄硅片完成后续化学机械抛光后，先后采用冷却后硫酸和双氧水混合液与热丙酮即可完全溶解并去除黏胶，实现超薄硅片与承载片的无破损、无应力分离。

2.如权利要求1所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于在步骤1)中，所述在承载片上加工出比超薄硅片外径略大三段等径同心圆弧槽采用微加工工艺，所述微加工工艺包括热氧化、光刻和超声各向异性湿法刻蚀。

3.如权利要求1所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于在步骤1)中，所述承载片的直径比超薄硅片的直径大25～50mm。

4.如权利要求1所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于在步骤1)中，所述圆弧槽的深度为10～30μm，圆弧槽的中心与承载片的中心一致；所述承载片上的溢流槽比圆弧槽低10～25μm；所述圆弧槽的总周长为超薄硅片周长的1/8～1/12，以利后续去胶。

5.如权利要求2所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于所述超声各向异性湿法刻蚀选用质量百分比浓度为40％～60％的氢氧化钾溶液，刻蚀温度为75～80℃，超声频率大于80KHz，超声功率为120～250W，以获得表面粗糙度小于8nm的光滑圆弧槽底面。

6.如权利要求1所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于在步骤2)中，所述黏胶采用半导体工艺中常用的光刻胶；所述旋涂后黏胶的厚度为0.6～1.8μm，所述旋涂后黏胶的厚度的不均匀性小于0.3％。

7.如权利要求1所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于在步骤3)中，所述热压采用预固化热压和完全固化热压两个步骤。

8.如权利要求7所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于所述预固化热压的温度为50～70℃，压强为0.8～2N/cm²，时间为15～60min。

9.如权利要求7所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于所述完全固化的温度为130～170℃，压强为0.5～1.2N/cm²，时间为120～240min。

10.如权利要求1所述用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法，其特征在于在步骤4)中，所述硫酸和双氧水混合液的温度为40～50℃。