[发明专利]为细线和空间封装应用形成高密度金属布线的方法及由此形成的结构

权利要求书

1.一种形成微电子结构的方法，包括：

形成通过积聚材料与设置在所述积聚材料上的光敏材料的至少一个开口，其中所述积聚材料包括封装衬底的一部分，其中所述至少一个开口包括通过所述光敏材料并且进入所述积聚材料中的线部分和在所述积聚材料中的通孔触点部分，其中所述线部分比所述通孔触点部分宽；

用含金属纳米胶填充所述至少一个开口；以及

烧结所述含金属纳米胶，以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个开口通过利用纳米压印和激光消融中至少之一来形成。

3.如权利要求1所述的方法，其中烧结温度包括在不到60分钟内小于280摄氏度。

4.一种形成微电子结构的方法，包括：

形成通过光敏材料和积聚材料的至少一个开口，其中所述光敏材料设置在所述积聚材料上，以及其中所述积聚材料包括封装衬底的一部分，其中所述至少一个开口包括通过所述光敏材料并且进入所述积聚材料中的线部分和在所述积聚材料中的通孔触点部分，其中所述线部分比所述通孔触点部分宽；

用含金属纳米胶填充所述至少一个开口；以及

烧结所述含金属纳米胶，以在所述至少一个开口中形成整体性质金属结构。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述封装衬底包括高密度封装衬底和母板中至少之一。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述含金属纳米胶包括纳米大小金属粒子、分散剂、反应速率控制试剂和添加剂。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含金属纳米胶包括包含直径6nm以下的铜纳米粒子，其中所述分散剂包括链烷酸和胺化合物中的至少一个，其中所述反应速率控制试剂包括胺化合物，并且其中所述添加剂包括所述含金属纳米胶的溶剂。

8.如权利要求4所述的方法，其中烧结温度包括在60分钟以下内小于280摄氏度。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述含金属纳米胶的烧结温度包括比所述整体性质金属结构的熔融温度更低的温度。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述烧结从所述含金属纳米胶实质去除分散剂、反应速率控制试剂和添加剂，并且其中将所述金属纳米粒子变换成整体性质金属结构。

11.如权利要求4所述的方法，其中用含金属纳米胶填充所述至少一个开口通过使用挤压技术来执行。

12.如权利要求4所述的方法，其中用含金属纳米胶填充所述至少一个开口通过使用丝网印刷技术来执行。

13.如权利要求4所述的方法，其中在填充所述至少一个开口之前将疏水材料施加到所述光敏材料。

14.如权利要求4所述的方法，其中用激光消融形成所述至少一个开口。

15.如权利要求4所述的方法，其中所述整体性质金属结构包括具有线宽10微米以下以及线间距10微米以下的金属导线结构。

16.一种微电子结构，包括：

第一导电导线结构，设置在积聚材料中，其中所述积聚材料包括封装衬底的一部分；

第二导电导线结构，与所述第一导电导线结构相邻设置，

其中所述第一导电导线结构和所述第二导电导线结构中的每一个通过形成通过所述积聚材料和设置在所述积聚材料上的光敏材料的至少一个开口而形成，其中所述至少一个开口包括通过所述光敏材料并且进入所述积聚材料中的线部分和在所述积聚材料中的通孔触点部分，其中所述线部分比所述通孔触点部分宽。