[发明专利]基片处理设备

说明书

本发明公开了一种基片处理设备，涉及显示领域，能够解决了现有工艺腔室的拐角气体流通性差，温度不均匀，造成基板四角位置出现Embossing Mura的问题。本发明的基片处理设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种基片处理设备。

背景技术

目前显示设备制造领域，经常需要用到一些带有工艺腔室的设备例如成膜设备和干法刻蚀设备，目前对于工艺腔室的设计仅为简单的单通道闭合回路，热循环及热能利用率状态较差，对产品质量也有一定的影响。

例如，Embossing Mura(电极位置显示不均)为阵列基板制作过程中常见的一种不良，其主要产生原因为：由于干法刻蚀设备的工艺腔室内的四个拐角气体流通性差，温度不均匀，这极易造成基板四角位置出现Embossing Mura。

发明内容

本发明提供一种基片处理设备，解决了现有工艺腔室的拐角气体流通性差，温度不均匀，造成基板四角位置出现Embossing Mura的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种基片处理设备，包括：工艺腔室，所述工艺腔室在气体流通性差的位置开设有气孔，所述气孔为进气孔或排气孔。

可选地，所述工艺腔室在靠近气体流通的进气方向且气体流通性差的位置开设有进气孔，在靠近出气方向且气体流通性差的位置开设有排气孔。

可选地，所述工艺腔室为矩形，所述进气孔分别设置在靠近进气方向的两个拐角处，所述排气孔分别设置在靠近出气方向的两个拐角处。

进一步地，所述基片处理设备，还包括：位于所述工艺腔室外部的气体循环系统，其进气端与所述工艺腔室的排气孔相通，其出气端与所述工艺腔室的进气孔相通。

可选地，所述气体循环系统，包括：压强传感器，用于测量气体通道内的气体压强；气体压强调节装置，用于调节气体通道内的气体压强；控制单元，与所述压强传感器、所述气体压强调节装置相连接，用于控制气体压强调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体压强与所述进气孔处的气体压强一致。

进一步地，所述气体循环系统，还可包括：温度传感器，用于测量气体通道内的气体温度；气体温度调节装置，用于调节气体通道内的气体温度；所述控制单元，还与所述温度传感器、所述气体温度调节装置相连接，用于控制气体温度调节装置，使所述气体循环系统出气端的气体温度与所述进气孔处的温度一致。

所述工艺腔室为干法刻蚀设备的电极腔室，所述气体压强调节装置包括鼓风机和控制阀。

进一步地，如果气体参与所述工艺腔室内的反应时，所述气体循环系统，还可包括：组分传感器，用于测量气体通道内的气体组分；供气装置，用于提供所述工艺腔室工作时所需的气体；所述控制单元，还与所述组分传感器、所述供气装置相连，用于控制供气装置，使所述气体循环系统出气端的气体组分与所述工艺腔室设定的工作气体的组分一致。

可选地，所述基片处理设备为成膜设备或干法刻蚀设备。

本发明提供一种基片处理设备，其工艺腔室在气体流通性差的位置(例如工艺腔室的拐角处)开设有气孔，所述气孔可以为进气孔或排气孔，通过气孔与外界进行气体交换，可改善该处的气体的流动性，进而解决温度不均的问题。本发明可用于干刻设备，改善拐角处气体流动性差、温度不均的问题，避免基板四角位置出现Embossing Mura。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。