[发明专利]一种触摸屏感应层边框走线及其形成工艺

说明书

技术领域

本发明涉及电子信息应用技术领域，尤其涉及一种触摸屏感应层边框走线及其形成工艺。

背景技术

目前，触摸屏几乎遍及所有电子显示设备的必备配置，触摸屏的感应结构（sensor）分为可视区的X、Y方向的电极图案及X、Y电极引出的接线端子，也叫边框走线，边框走线材料的选择决定了触摸屏的工艺复杂度、触摸灵敏度、触摸屏的可加工尺寸、成本控制、等诸多因素。目前比较成熟的边框走线的加工工艺有丝印银浆、钼铝钼湿法蚀刻，丝印银浆在中小尺寸电极图案比较简单的电容触摸屏sensor上应用较多，大尺寸的触摸屏sensor电极图案较复杂、多点触控、边框走线要求较高时，丝印银浆不再满足要求，成本上也是居高不下。钼铝钼湿法蚀刻工艺，技术成熟，在黄光工艺能将线宽及线距做到比银线更精细，但钼铝钼镀膜环节对镀膜气氛的要求比较高，镀膜气氛的高低决定了膜层的附着力，而且钼铝钼膜层为了满足边框走线的线阻要求，膜层会比较厚，这无疑增加了镀膜靶电源的溅射功率及靶位的配置，增加了设备投入成本。

图1是现有技术中采用钼铝钼制作的触摸屏感应层边框走线的结构示意图，如图1所示，其形成工艺大致为以下步骤：⑴在玻璃基板1上镀上一层二氧化硅层2，防止钠钙玻璃基板中的钠离子渗透到感应层。⑵在二氧化硅层上镀上一层ITO导电层3。⑶ITO导电层经过黄光湿法蚀刻工艺加工成需要的ITO图案。⑷在ITO图案上面连续镀上钼铝钼（Mo-Al-Mo）膜层4、5、6，其中4和6均为钼层，5为铝层。⑸Mo-Al-Mo膜层经过黄光湿法蚀刻工艺加工成需要的图案。⑹黄光工艺中涂布一层钝化层（passivation）7，保护senseor图案及边框走线。现有技术虽然使用了Mo-Al-Mo作为电容屏sensor的边框走线，在线宽线距上满足中高端大尺寸多点触控的sensor设计要求，但是镀膜环节对镀膜细节的要求(比如洁净度、镀膜温度的波动、直流电源的稳定性、靶位配置等)较高，这无疑增加了驾驭设备的难度，降低了生产良率，而且膜层要求较厚，对平面靶结构的金属靶来说，靶被溅射的蚀刻槽深度影响了靶材的利用率，加大了生产成本。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的以上问题，提供一种触摸屏感应层边框走线及其形成工艺，其降低生产成本、工艺简单、导电性更好、边框走线材料更稳定。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种触摸屏感应层边框走线，其包括玻璃基板、形成于所述玻璃基板上的二氧化硅层、图案化的ITO导电层、在所述图案化的ITO导电层形成后形成的图案化的铜薄膜层、在所述铜薄膜层上形成的图案化的铜镍合金层、钝化层；所述图案化的ITO导电层与所述图案化的铜薄膜层电性连接，所述钝化层覆盖所述图案化的ITO导电层和所述图案化的铜镍合金层。

作为对本发明所述技术方案的一种改进，所述玻璃基板为钠钙玻璃基板。

作为对本发明所述技术方案的一种改进，所述图案化的ITO导电层采用黄光湿法蚀刻工艺加工形成。

作为对本发明所述技术方案的一种改进，所述图案化的铜薄膜层和图案化的铜镍合金层均采用磁控溅射工艺形成。

另外，本发明还提供一种触摸屏感应层边框走线的形成工艺，其包括步骤如下：

a.对玻璃基板进行清洗；

b.在玻璃基板上形成二氧化硅层；

c.在所述二氧化硅层上镀上一层ITO导电层；

d.对所述ITO导电层采用黄光湿法蚀刻工艺加工进行图案化；

e.在图案化的所述ITO导电层上连续镀上铜薄膜层和铜镍合金层；

f.对所述铜薄膜层和所述铜镍合金层采用黄光湿法蚀刻工艺加工进行图案化；

g.在黄光工艺中涂布钝化层。

作为对本发明所述技术方案的一种改进，所述图案化的ITO导电层与所述图案化的铜薄膜层电性连接。

本发明提供的触摸屏感应层边框走线及其形成工艺，其降低生产成本、工艺简单、导电性更好、边框走线材料更稳定。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是现有技术中采用钼铝钼制作的触摸屏感应层边框走线的结构示意图；

图2是本发明具体实施例的触摸屏感应层边框走线的结构示意图。

具体实施方式