[发明专利]一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法

权利要求书

1.一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土离子掺杂激光材料实现激 光及其倍频激光的方法，其特征在于：

(1)于激光材料基质中掺杂稀土离子，继而成为激光晶体或激 光透明陶瓷；

(2)针对不同的激光晶体或激光透明陶瓷，根据稀土掺杂离子 的激光泵浦通道的吸收波长，来选择工作波长和其相匹配的GaN基 激光二极管作为泵浦源。；

(3)对掺杂稀土离子的激光晶体或激光透明陶瓷进行泵浦，继 而可实现可见光激光输出。

2.根据权利要求1所述的一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土 离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法，其特征在于：所述 激光材料基质包括Y₃Al₅O₁₂、Lu₃Al₅O₁₂、Gd₃Ga₅O₁₂、Gd₃Sc₂Ga₃O₁₂、 Y₃Ga₅O₁₂、Gd_3xY_3(1-x)Sc₂Ga₃O₁₂、Gd₃Sc₂Al₃O₁₂、Y₃Sc₂Al₃O₁₂、 Gd_3xY_3(1-x)Sc₂Al₃O₁₂、YVO₄、GdVO₄、Y_1-xGd_xVO₄、YAlO₃、LaAlO₃、 Gd₂SiO₅、Y₂SiO₅、Sc₂SiO₅、Lu₂SiO₅、Lu_2(1-x)Y_2xSiO₅；且所述的上 述基质记为HOST，其中HOST代表激光材料基质中的任何一种，上 述的Gd_3xY_3(1-x)Sc₂Ga₂O₁₂、Gd_3xY_3(1-x)Sc₂Al₃O₁₂、Y_1-xGd_xVO₄、Lu₂SiO₅和Lu_2(1-x)Y_2xSiO₅中的x取值范围为0<x<1。

3.根据权利要求2所述的一种利用GaN基激光二极管泵浦稀土 离子掺杂激光材料实现激光及其倍频激光的方法，其特征在于：所述 稀土掺杂离子为Pr³⁺、Sm³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺中之一， 且掺杂离子用于取代基质中的Gd、Lu、La、Y所占的格位，从而分 别构成激光材料为Pr³⁺:HOST、Sm³⁺:HOST、Tb³⁺:HOST、Dy³⁺:HOST、 Ho³⁺:HOST、Er³⁺:HOST、Tm³⁺:HOST。