[发明专利]一种根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态的方法在审
申请号: | 201610128710.1 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN105785171A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 胡军;何金良;邬锦波;陈水明 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 刘立春 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 根据 泄漏 电流 谐波 特性 判断 zno 压敏电阻 老化 状态 方法 | ||
1.一种根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态的方法,其特 征在于,判断步骤为:
对运行中的高压避雷器或低压系统的冲击保护装置(SPD)内的ZnO压敏电阻阀 片的泄漏电流进行监测;
对单位时间内泄漏电流进行采样并记录其波形数据;
对采集到的泄漏电流波形进行傅里叶变换,得到泄漏电流中基波电流幅值、各 奇次谐波电流的幅值;
计算得到各奇次谐波电流与基波电流幅值的比值,作为压敏电阻老化状态的判 断依据;
记录各奇次谐波电流与基波电流的比值α3、α5、α7....αn。
2.根据权利要求1的根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态 的方法,其特征在于,当各奇次谐波电流与基波电流的比值α3~n﹤30%时,ZnO 压敏电阻片性能良好,说明芯片未出现老化现象。
3.根据权利要求1的根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态 的方法,其特征在于,当各奇次谐波电流与基波电流的比值30%<α3~n<70%且 随时间迅速增加时,ZnO压敏电阻片性能下降,说明阀片进入加速老化阶段。
4.根据权利要求1的根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态 的方法,其特征在于,当各奇次谐波电流与基波电流的比值αn-2>70%且αn-2> αn时,ZnO压敏电阻片性能进一步下降,说明阀片已经严重老化。
5.根据权利要求1的根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态 的方法,其特征在于,监测泄漏电流为连续检测。
6.根据权利要求1的根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态 的方法,其特征在于,计算得到的奇次谐波电流为连续奇次谐波电流,计算得 到的奇次谐波电流不小于9次。
7.根据权利要求3的根据泄漏电流高次谐波特性判断ZnO压敏电阻片老化状态 的方法,其特征在于,所述当各奇次谐波电流与基波电流的比值随迅速增加为 在3次内增加40%。
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