[发明专利]一种太阳能电池封装结构在审
申请号: | 201610119266.7 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN107154445A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 姜京勤 | 申请(专利权)人: | 苏州升奥新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215156 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池封装结构,尤指一种具有不对称形态的太阳能电池封装结构。
背景技术
近年来,从有效利用资源或削减CO2排放量之观点,直接将阳光转换成电能之太阳能电池受到瞩目,技术开发正提升中。于现在主流之结晶硅系太阳能电池中,依序积层玻璃、封装材薄片、太阳能电池单元、封装材薄片、背板,在真空.加热条件下积层该积层体,利用熔融的封装材树脂封装单元而制造太阳能电池模块。
但是,在上述积层步骤,由于来自热板之加热而使玻璃弯曲,使封装材之升温局部变得不足,将太阳能电池单元按压于未熔融状态之封装材薄片而发生裂痕,此系成为使模块产率降低的原因之一。又由于积层时,气泡将残留于封装材薄片与单元之间而可能使模块之外观恶化。为了避免上述问题而在封装材薄片之制造程序进行压纹加工,采取在薄片表面形成突起部,藉由使薄片之缓冲性提高而防止单元中出现裂痕(以后,记为单元裂痕),同时也确保空气之排放路径的对策。有人提案一种封装材薄片,形成有复数个圆柱或圆锥梯形所构成的下摆部与凸曲面形状的顶部之突起。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种太阳能电池的封装结构,提供一种太阳能电池封装材薄片,其一面维持封装材薄片之缓冲性、一面能抑制光泽不均。
本发明一种太阳能电池的封装结构由下述方法制造:提供一基板,该 基板上包含有多个太阳能电池区域,并将一封装结构分别设置于每一个该太阳能电池区域上;分别对应于每一个该太阳能电池区域成型一封装结构;以及沿着两个轴向的切割道进行切割以形成多个单一的太阳能电池封装结构,其中该封装结构在所述两个轴向上分别经过两次切割,使该封装结构具有一个顶面及两组相对应的侧面,该顶面为一二次曲面,以形成双锥形(biconic)透镜封装结构;其中,每一个太阳能电池封装结构在两个方向上具有不对称的形态。
本发明实施例提供一种太阳能电池封装结构,包括:一基板,其上具有太阳能电池区域;一互连带,其设于该基板上而电性连接太阳能电池区域;以及一双锥形透镜封装结构,该封装结构具有一个顶面及两组相对应的侧面,该顶面为一二次曲面;其中,该太阳能电池封装结构在两个方向上具有不对称的形态。
本发明具有以下有益的效果:本发明的制造方法的制程简单,可利用切割方法成型具有特定外观的封装结构;而本发明所成型的封装结构具有不对称的光学特性,使光线在两个方向上形成不同的发光形态。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它附图。
图1为本发明的发光阵列的侧视图。
图2为本发明的凸状的透镜状的封装结构的示意图。
图3为本发明的发光阵列上的切割道的示意图。
图4为本发明的单一太阳能电池封装结构的示意图。
其中,附图标记说明如下:
1-太阳能电池封装结构,11-基板,12-太阳能电池,13、13’-封装结构,131-顶面(第一顶面区域),132-第二顶面区域,132A-侧面,132B-侧面,133-底面,SX1、SX2、SX3、SX4-切割道,SY1、SY2、SY3、SY4、SY5、 SY6-切割道。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1、图2,并配合图3、图4,本发明提供一种太阳能电池封装结构的制造方法,该制造方法利用切割的方式间接制作出不易以模造等方式成型的双锥形(biconic)的封装结构13,换言之,本发明先以光学仿真软件规划出适当的双锥形透镜封装结构13,但由于此结构并无法或较难直接成型,因此本发明就针对这样的结构提出以下的制造成型方法;而双锥形透镜封装结构13可应用于本发明的太阳能电池封装结构1,使本发明的侧向式(side-view)太阳能电池封装结构1在不同方向上具有不同的形态。本发明的制造方法至少包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的