[发明专利]一种具有三维隔离结构的导热绝缘高分子复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201610114986.4 | 申请日: | 2016-03-01 |
公开(公告)号: | CN105646986A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 杨文彬;唐小红;廖治强;程金旭;吴菊英;范敬辉;张凯 | 申请(专利权)人: | 西南科技大学 |
主分类号: | C08L23/06 | 分类号: | C08L23/06;C08L23/12;C08L27/06;C08L25/06;C08L75/04;C08L69/00;C08L77/00;C08L33/12;C08L67/02;C08L59/00;C08L71/12;C08K3/00;C08K3/22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 三维 隔离 结构 导热 绝缘 高分子 复合材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种具有三维隔离结构的导热绝缘高分子复合材料 及其制备方法,属于材料科学与工程领域。
背景技术
高分子材料以其优异的耐化学腐蚀性、电气绝缘性能、质轻、易 加工成型等突出优点,广泛应用于各个领域。
但是,大多数高分子材料的导热性能都较差,其本征导热系数一 般在0.2W/m·K左右,远不能满足绝缘散热及导热场合的使用要求。
目前提高高分子材料导热性能的主要方法是填充具有高热导率 的绝缘陶瓷填料,如氧化铝、氮化硼、氮化铝等,一般需要较高的填 料用量才能形成连续导热通路。如中国专利文献CN101067044A中, 导热绝缘填料占35~65%;中国专利文献CN101899209A中,导热绝 缘填料占40~85%。大量导热绝缘填料的加入,损失了高分子材料的 力学性能、电绝缘性能和加工成型性能。
在导电高分子复合材料研究中,调控导电填料在高分子材料中的 分布,设计制备具有隔离结构的导电高分子复合材料,是降低导电填 料含量的有效方法,受到研究者广泛关注。中国专利文献CN 104530521A的具有隔离结构的导电高分子复合材料中,导电粒子的 体积只有高分子材料/导电粒子共混料体积的1~10%。中国专利文 献CN102617918A的具有隔离结构的导电高分子复合材料中,导电填 料碳纳米管含量只有1~2%。因此,在具有隔离结构的导电高分子 复合材料中,导电填料含量较低,使复合材料具有优异的力学性能和 加工成型性能。
发明内容
发明目的:本发明针对上述现有技术存在的问题做出改进,即本 发明的第一个目的在于公开一种具有三维隔离结构的导热绝缘高分 子复合材料。本发明的第二个目的在于公开一种具有三维隔离结构的 导热绝缘高分子复合材料的制备方法。
技术方案:一种具有三维隔离结构的导热绝缘高分子复合材料, 按照质量计,包括70~99%的高分子粉体和1~30%导热绝缘填料。
进一步地,所述高分子粉体为热塑性高分子粉体,所述高分子粉 体粒径为10~2000μm。
更进一步地,所述高分子粉体为聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚 苯乙烯、聚氨酯的一种或几种。
更进一步地,所述高分子粉体为聚碳酸酯、聚酰胺、聚甲基丙烯 酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚甲醛、 聚苯醚的一种或几种。
更进一步地,所述高分子粉体为聚砜、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚 醚醚酮的一种或几种。
进一步地,所述导热绝缘填料为氧化铝、氮化硼、氮化铝、氮化 硅和碳化硅中的一种或几种,所述导热绝缘填料的粒径为0.01~ 100μm。
一种具有三维隔离结构的导热绝缘高分子复合材料的制备方法, 包括如下步骤:
(1)将1~30份导热绝缘填料与70~99份高分子粉体均匀混合, 再通过机械研磨制备导热绝缘填料高分子粉体核壳结构,研磨压力: 3~30MPa,研磨时间5~60min;
(2)将制备出的导热绝缘填料高分子粉体核壳结构置于模具中 通过热压成型,制备具有三维隔离结构的导热绝缘高分子复合材料, 成型压力为5~50MPa,成型温度为100℃~350℃,成型时间10~ 60min。
进一步地,所述高分子粉体为热塑性高分子粉体,所述高分子粉 体粒径为10~2000μm。
更进一步地,所述高分子粉体为聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚 苯乙烯、聚氨酯的一种或几种。
更进一步地,所述高分子粉体为聚碳酸酯、聚酰胺、聚甲基丙烯 酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚甲醛、 聚苯醚的一种或几种。
更进一步地,所述高分子粉体为聚砜、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚 醚醚酮的一种或几种。
进一步地,所述导热绝缘填料为氧化铝、氮化硼、氮化铝、氮化 硅和碳化硅中的一种或几种,所述导热绝缘填料的粒径为0.01~ 100μm。
有益效果:本发明公开的一种具有三维隔离结构的导热绝缘高分 子复合材料及其制备方法具有以下有益效果:
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