[发明专利]一种氧化钨薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：将阴、阳极浸入电解液中，在电压作用下，电解液形成等离子体并沉积在电极表面，得到氧化钨薄膜，所述电解液含有无机添加剂和/或有机添加剂，所述无机添加剂是无机酸和/或无机盐；所述有机添加剂是柠檬酸、桂皮酸、十二烷基苯磺酸钠、苯甲酸钠和糖精中的至少一种，所述电压为500~1200V；所述阴、阳极间的电流为恒流电流，电流密度为500~1200mA/mm²，所述阴、阳极的面积比为1：1~2；所述阴、阳极的间距为6~15mm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电解液还包括钨酸盐、有机溶剂和去离子水。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂是甲醇、乙醇、乙腈、二甲基亚砜和N，N-二甲基甲酰胺中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述阴极的材料是铜片、硅片、铝合金、钛合金、硬质合金、不锈钢、导电玻璃或导电塑料。

5.权利要求1~4任一项所述氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

S1、将阴极干燥，打磨抛光，超声波清洗，再用丙酮、盐酸、去离子水清洗干净；

S2、将钨酸盐溶于去离子水，加入有机溶剂，加入无机添加剂和/或有机添加剂，并搅拌至电解液完全澄清；

S3、将电解液倒入电解槽中，固定阴、阳电极于电解槽上，使阴极的抛光面完全浸入电解液中，调整阴、阳电极间间距，在电解槽周围安装一个温度控制或回流冷却装置，将电源、电极连接成一个闭合回路；

S4、打开电源，调节电流，电解液形成等离子体并沉积在电极表面，得到氧化钨薄膜。