[发明专利]掺杂方法在审
| 申请号： | 201610082816.2 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107046079A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 金光耀;何川;王懿喆;洪俊华;陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,王聪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 方法 | ||
1.一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：对硅衬底双面制绒，该硅衬底包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面；
S2：对该第一表面进行第一导电类型掺杂元素的注入；
S3：在该第二表面上形成含有第二导电类型掺杂元素的掺杂剂源；
S4：热处理步骤S3得到的结构以推进注入的第一导电类型掺杂元素由此在第一表面侧的硅衬底中形成第一导电类型掺杂层，以及使得掺杂剂源中的第二导电类型掺杂元素扩散至第二表面侧的硅衬底中形成第二导电类型掺杂层。
2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中通过旋涂或喷涂形成该掺杂剂源。
3.如权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中旋涂转速为500rpm-5000rpm。
4.如权利要求2所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4之后通过等离子体刻蚀该硅衬底的侧壁。
5.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中通过薄膜沉积或丝网印刷形成该掺杂剂源。
6.如权利要求5所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S3中通过LPCVD或PECVD形成该掺杂剂源。
7.如权利要求1-6中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该硅衬底为N型掺杂的硅衬底，该掺杂剂源为硼硅玻璃、或含硼的多聚物或硼酸。
8.如权利要求1-6中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，该掺杂剂源的厚度为100nm-1000nm。
9.如权利要求1-6中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S4中先在100-300℃下热处理，接着在850℃-1050℃下热推进，和/或，
步骤S4中热处理在惰性气体中进行，或在氮气中进行，或在惰性气体 和氧气中进行，或在氮气和氧气中进行。
10.如权利要求1-6中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S1之后、步骤S2之前还包括以下步骤：抛光该第二表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
