[发明专利]一种MOCVD反应腔室的清理装置及清理方法有效
申请号: | 201610081610.8 | 申请日: | 2016-02-05 |
公开(公告)号: | CN105648420B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 徐志军;王亚伟;周宏敏;刘勇;吴洪浩;寻飞林;李政鸿;谢祥彬;林兓兓;张家宏 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
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地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mocvd 反应 清理 装置 方法 | ||
1.一种MOCVD反应腔室的清理装置,至少包括:一承载盘、复数个均匀分布并铰接于承载盘上部边缘处的清理手臂,所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾斜,且清理手臂与水平面的夹角为α,0°<α<90°,所述清理手臂通过旋转方式清理MOCVD反应腔室,其旋转速度n、承载盘的直径D以及清理手臂长度L之间的关系符合:,且。
2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述清理手臂包括支撑机构及安装于所述支撑机构表面的擦拭机构,所述擦拭机构用于清扫反应腔室内壁。
3.根据权利要求2所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述支撑机构与所述擦拭机构的总厚度H大于等于所述承载盘边缘至反应腔室内壁的距离H’。
4.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述清理手臂的长度小于等于所述MOCVD反应腔室的垂直高度。
5.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述承载盘下表面中心处有一凹槽。
6.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述承载盘的直径小于所述MOCVD反应腔室的内径。
7.根据权利要求2所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述擦拭机构为无纺布、海绵、毛刷中的一种或者任意两者的组合。
8.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应腔室的清理装置,其特征在于:所述清理手臂的个数大于等于2。
9.一种MOCVD反应腔室的清理方法,至少包括以下步骤:
S1、提供一清理装置,所述清理装置至少包括一承载盘、复数个均匀分布并铰接于承载盘上部边缘的清理手臂,所述清理手臂处于静止状态时均向所述承载盘中心方向倾斜,且清理手臂与水平面的夹角为α,0°<α<90°;
S2、将步骤S1中的清理装置转移至MOCVD反应腔室中的承载盘旋转机构上;
S3、启动旋转机构,驱动所述清理装置进行旋转,所述清理手臂在离心力的作用下张开,贴紧所述反应腔室的内壁,对MOCVD反应腔室侧壁进行清扫;所述承载盘的转速n满足如下公式: ,D为承载盘的直径;L为清理手臂的长度;n为承载盘的转速;α为清理手臂与水平面的夹角,且 。
10.根据权利要求9所述的一种MOCVD反应腔室的清理方法,其特征在于:所述步骤S2还包括向MOCVD反应腔室通入氮气的过程。
11.根据权利要求9所述的一种MOCVD反应腔室的清理方法,其特征在于:所述步骤S3还包括开启MOCVD设备的尾气处理装置的步骤。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的