[发明专利]一种单晶生长炉

说明书

技术领域

本发明涉及机械设备技术领域，具体涉及一种单晶生长炉。

背景技术

晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体；由气相、液相转变成固相时形成晶体，固相之间也可以直接产生转变；晶体生成的一般过程是先生成晶核，而后再逐渐长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段：①介质达到过饱和、过冷却阶段；②成核阶段；②生长阶段。在某种介质体系中，过饱和、过冷却状态的出现，并不意味着整个体系的同时结晶。体系内各处首先出现瞬时的微细结晶粒子。这时由于温度或浓度的局部变化，外部撞击，或一些杂质粒子的影响，都会导致体系中出现局部过饱和度、过冷却度较高的区域，使结晶粒子的大小达到临界值以上。这种形成结晶微粒子的作用称之为成核作用。

晶体生长需要用到晶体生长炉，目前的晶体生长炉结构复杂，保温效果差，效能能源多，晶体生长不均匀。

发明内容

为克服上述技术问题，本发明提供一种单晶生长炉，采用的技术方案如下：

一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆，所述水冷提拉杆内设有籽晶，水冷提拉杆下端设有坩埚，坩埚内设有晶体，坩埚底部设有干锅支撑，坩埚侧面及底部设有加热器，加热器四周设有保温屏，保温屏与坩埚顶部的坩埚口之间设有反射屏，保温屏底部设有底座，底座及保温屏外部设有壳体。

所述坩埚支撑底部设有螺纹调节。

所述坩埚支撑材料为钼。

所述底座由保温材料制成。

本发明的优点是：晶体生长炉结构简单，绝热层的绝热效果好，保温效果好，节约能源，晶体生长均匀。

附图说明

图1为本发明的拆分结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，一种单晶生长炉，包括水冷提拉杆1，所述水冷提拉杆1内设有籽晶3，水冷提拉杆1下端设有坩埚7，坩埚7内设有晶体6，坩埚7底部设有干锅支撑9，坩埚7侧面及底部设有加热器5，加热器5四周设有保温屏2，保温屏2与坩埚7顶部的坩埚口之间设有反射屏4，保温屏2底部设有底座10，底座10及保温屏2外部设有壳体，保护产品内部结构，同时起防护作用。

所述坩埚支撑9底部设有螺纹调节，从而方便调节高低。

所述坩埚支撑9材料为钼，耐高温。

所述底座10由保温材料制成，保温效果好。