[发明专利]一种光刻版及应用光刻版制作发光二极管的方法有效

专利信息
申请号: 201610065484.7 申请日: 2016-01-29
公开(公告)号: CN105607411B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 闫晓红;曾凡志;任关涛;李俊生;叶青贤 申请(专利权)人: 华灿光电(苏州)有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36;H01L33/36
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 215600 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 光刻 应用 制作 发光二极管 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种光刻版及应用光刻版制作发光 二极管的方法。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode,简称LED)是半导体二极管的一种,可 以把电能转化成光能。

制作发光二极管时,先在衬底上生长外延层,再采用光刻技术在外延层上 形成包括焊盘和沿垂直于发光二极管的生长方向延伸的电极线的电极。其中, 采用光刻技术形成电极时,需要用曝光机对光刻版遮挡下的光刻胶进行曝光, 并对曝光后的光刻胶进行显影,得到设定图形的光刻胶。利用设定图形的光刻 胶,刻蚀形成焊盘和电极线。

在实现本发明的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:

通常光刻版上设有多个形状与焊盘和电极线一致的通孔且各个通孔的尺寸 相同,但由于曝光机自身光强的不均匀性,加上衬底具有一定的翘曲度,会造 成曝光进而显影得到的设定图形的光刻胶中,各个形状与电极线一致的光刻胶 的宽度出现差异,进而造成形成的电极线的线宽出现差异(相差1μm甚至更 大),各个电极对应的芯片的光电参数存在差异,降低对档率(满足要求的产品 与所有生产产品的数量比)。

发明内容

为了解决现有技术降低对档率的问题,本发明实施例提供了一种光刻版及 应用光刻版制作发光二极管的方法。所述技术方案如下:

一方面,本发明实施例提供了一种光刻版,所述光刻版应用于制作发光二 极管,所述发光二极管包括衬底、层叠在所述衬底上的外延片、以及设置在所 述外延片上的电极,所述电极包括焊盘和沿垂直于所述发光二极管的生长方向 延伸的电极线,所述光刻版为圆形板,所述圆形板上设有多个形状与所述焊盘 和所述电极线一致的通孔,所述圆形板分为至少两个区域,所述至少两个区域 包括一个圆形区域和至少一个圆环区域,所述至少两个区域的圆心均与所述圆 形板的圆心重叠,同一区域内的所述通孔的线宽相同,不同区域内的所述通孔 的线宽自所述圆形板的圆心向外逐个增大,所述通孔的线宽为所述通孔中与所 述电极线的形状一致的区域的宽度。

可选地,相邻两个区域内的所述通孔的线宽差相等。

可选地,所述圆形区域的半径、以及各个所述圆环区域的环宽,均等于所 述圆形板的半径除以所述至少两个区域的个数。

可选地,所述至少两个区域的个数为2~4个。

可选地,所述圆形区域的半径与所述电极线的线宽要求值相同。

另一方面,本发明实施例提供了一种应用光刻版制作发光二极管的方法, 所述方法包括:

在衬底上生长外延层;

在所述外延层上蒸镀一层电极;

在所述电极上覆盖一层光刻胶;

在光刻版的遮挡下,对所述光刻胶进行曝光;

对曝光后的所述光刻胶进行显影,得到设定图形的所述光刻胶;

在设定图形的所述光刻胶的保护下,对所述电极进行刻蚀,得到焊盘和沿 垂直于所述发光二极管的生长方向延伸的电极线;

剥离所述光刻胶;

所述光刻版为圆形板,所述圆形板上设有多个形状与所述焊盘和所述电极 线一致的通孔,所述圆形板分为至少两个区域,所述至少两个区域包括一个圆 形区域和至少一个圆环区域,所述至少两个区域的圆心均与所述圆形板的圆心 重叠,同一区域内的所述通孔的线宽相同,不同区域内的所述通孔的线宽自所 述圆形板的圆心向外逐个增大,所述通孔的线宽为所述通孔中与所述电极线的 形状一致的区域的宽度。

可选地,相邻两个区域内的所述通孔的线宽差相等。

可选地,所述圆形区域的半径、以及各个所述圆环区域的环宽,均等于所 述圆形板的半径除以所述至少两个区域的个数。

可选地,所述至少两个区域的个数为2~4个。

可选地,所述圆形区域的半径与所述电极线的线宽要求值相同。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:

通过将光刻版至少两个区域,同一区域内的通孔的线宽相同,不同区域内 的通孔的线宽自光刻版的中心向外逐个增大,可以减小甚至抵消由于曝光机光 强不均匀和衬底翘曲所造成的电极线线宽差异,提高对档率(满足要求的产品 与所有生产产品的数量比)。

附图说明

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