[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池在审
| 申请号： | 201610065201.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105552170A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 佛山市聚成生化技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528051 广东省佛山市禅城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法包括：将掺 硼硅片放入卤化稀土的溶液中在密闭的150-300摄氏度下进行浸渍反 应12-120小时，得到掺硼和稀土的硅片；将所述掺硼和稀土的硅片 进行磷扩散，得到掺稀土的PN结硅片；将所述掺稀土的PN结硅片 与正电极、负电极构成太阳能电池。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述浸渍反应在反应釜 中进行。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述浸渍反应的条件为： 温度为170-280摄氏度，时间为24-72小时。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述掺硼硅片与卤化稀 土的质量比为1：(0.5-10)，所述卤化稀土的溶液的质量分数为1-5％。
5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述卤化稀土为选自氯 化镧、氯化铈、氯化钕和氯化镨中的至少一种。
6.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述磷扩散的条件为： 温度为650-850℃，时间为1-12小时。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述正电极为银电极， 负电极为银电极。
8.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述太阳能电池为背接 触太阳能电池。
9.权利要求1-8中任意一项所述的方法所制备的太阳能电池。
10.根据权利要求9的太阳能电池，所述太阳能电池的光电转化 效率为14-24％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
